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功率mosfet 文章 進(jìn)入功率mosfet技術(shù)社區
IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設計更簡(jiǎn)單靈活
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應用的系統/負載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開(kāi)關(guān)應用非常理想的解決方案。 IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘
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IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設計更簡(jiǎn)單靈活
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應用的系統/負載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉換或充電泵電路，使其成為系統/負載開(kāi)關(guān)應用非常理想的解決方案。 IR 亞太區銷(xiāo)售副總裁潘
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IR 推出為開(kāi)關(guān)應用優(yōu)化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布針對開(kāi)關(guān)應用，推出兩款具有低柵級電荷的車(chē)用 DirectFET?2 功率 MOSFET ，這些開(kāi)關(guān)應用包括開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 、D 類(lèi)音頻系統、高強度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其它汽車(chē)電源轉換應用。 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應用量身定制的首款汽車(chē)級 DirectFET? 器件，提供低
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基于UCC27321高速MOSFET驅動(dòng)芯片的功能與應用
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瑞薩發(fā)布雙類(lèi)型功率MOSFET DC/DC轉換器
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設備等產(chǎn)品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類(lèi)型功率MOSFET，可以實(shí)現更高的電源效率。據悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開(kāi)始供應。 RJK0383DPA集成了兩種不同類(lèi)型的雙功率MOSFET，構成了一個(gè)采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 轉換器 功率MOSFET DC/DC
TNY256型單片機開(kāi)關(guān)電源及其應用
- 摘要：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源具有性?xún)r(jià)比高、外圍電路簡(jiǎn)單、效率高、功耗低等顯著(zhù)特點(diǎn)，文中介紹了TNY256的性能特點(diǎn)、工作原理，并給出了TNY256的典型應用電路。 關(guān)鍵詞：?jiǎn)纹_(kāi)關(guān)電源 TNY256 自動(dòng)重啟計數器 功率MOSFET 1 TNY256的性能特點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 單片開(kāi)關(guān)電源 TNY256 自動(dòng)重啟計數器 功率MOSFET MCU和嵌入式微處理器
集鎮流器控制、驅動(dòng)及功率MOSFET于一體的STR－B5450系列組合IC
- 摘 要：STR－B5450是日本三肯公司生產(chǎn)的集控制電路、高壓驅動(dòng)器及兩只功率開(kāi)關(guān)MOSFET于一體的系列SankenTM組合IC，使用該IC能使熒光燈電子鎮流器元件數量減少約40％。并具有預熱、點(diǎn)火、調光、自動(dòng)再啟動(dòng)、開(kāi)/關(guān)與復位及故障/失效保護等功能。工作可靠，最大輸出功率達200W。本文介紹了該器件的內部結構、工作原理及典型應用。 關(guān)鍵詞：鎮流器； 控制驅動(dòng)； 調光； STR－B5450 分類(lèi)號：TM571 文獻標識：B &
- 關(guān)鍵字： 鎮流器控制 驅動(dòng) 功率MOSFET STR－B5450 模擬IC 電源
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫(xiě)，意即“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著(zhù)氧化層O利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體S的場(chǎng)效應晶體管。除少數應用于音頻功率放大器，工作于線(xiàn)性范圍，大多數用作開(kāi)關(guān)和驅動(dòng)器，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]
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