東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET

中國上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造^[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機功率調節器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。

通過(guò)對柵極設計和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質(zhì)因數）降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的雙重降低，并最終實(shí)現了開(kāi)關(guān)電源效率的提高。 

該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅動(dòng)采用開(kāi)爾文連接?？梢酝ㄟ^(guò)降低封裝中源極線(xiàn)電感的影響，增強MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能，從而抑制開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振蕩。 

未來(lái)，東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線(xiàn)，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過(guò)降低開(kāi)關(guān)電源的功率損耗來(lái)達到節約節能的目的。 

圖1：漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較 

?  應用

-    數據中心（服務(wù)器開(kāi)關(guān)電源等）

-    光伏發(fā)電機功率調節器

-    不間斷電源系統 

?  特性

-    低漏源導通電阻×柵漏電荷，有助于提高開(kāi)關(guān)電源的效率

?  主要規格

（除非另有說(shuō)明，Ta＝25℃）

注：

[1] 截至2023年6月