東芝電子元件及存儲裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
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東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數據中心和通信基站的設備。3月31日開(kāi)始出貨。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202204/432754.htmTPH9R00CQH的漏極-源極導通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當前U-MOSVIII-H工藝的150V產(chǎn)品。新款MOSFET結構的優(yōu)化改善了漏極-源極導通電阻之間的權衡（*2）和兩個(gè)電荷特性（*3），實(shí)現了優(yōu)異的低損耗特點(diǎn)。此外，開(kāi)關(guān)操作時(shí)漏極和源極之間的峰值電壓也有所降低，有助于降低開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾(EMI)。有兩種類(lèi)型的表面貼裝封裝可供選擇，分別為：SOP Advance和SOP Advance (N)，后一種更受歡迎。東芝還提供支持開(kāi)關(guān)電源電路設計的工具。除了可以在短時(shí)間內驗證電路功能的G0 SPICE型號外，現在還推出了高精度的G2 SPICE型號，可以準確地再現瞬態(tài)特性。
東芝將擴大其功率MOSFET產(chǎn)品陣容，通過(guò)減少損耗來(lái)提高設備的供電效率，幫助降低功耗。
注：
(*1) 截至2022年3月的東芝調查。
(*2) 與目前的產(chǎn)品TPH1500CNH（U-MOSVIII-H系列）相比，該產(chǎn)品的漏源極導通電阻x柵極開(kāi)關(guān)電荷提高了大約20%，漏源極導通電阻x輸出電荷提高了大約28%。
(*3) 柵極開(kāi)關(guān)電荷和輸出電荷
應用領(lǐng)域
通信設備的電源
開(kāi)關(guān)電源（高效直流-直流轉換器等）
特點(diǎn)
優(yōu)異的低損耗特性。
（在導通電阻和柵極開(kāi)關(guān)電荷與輸出電荷之間進(jìn)行權衡）低導通電阻：RDS(ON)=9.0milliohms（最大）@VGS=10V
通道溫度額定值高：Tch（最大）=175C
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