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歐洲數字系統芯片功率泄漏控制項目

  • 來(lái)自歐洲7個(gè)國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過(guò)解決65nm節點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問(wèn)題來(lái)改進(jìn)下一代系統芯片設計的開(kāi)發(fā)項目。根據IST第六框架計劃的“納電子”戰略目標,歐洲委員會(huì )為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統芯片泄漏功率)的項目提供了450萬(wàn)歐元的贊助費。 在線(xiàn)寬大于0.1微米的微電子電路中,與晶體管泄漏電流相比,計算、通信和存儲操作造成的動(dòng)態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此,直到今天,在沒(méi)超過(guò)這個(gè)技術(shù)節點(diǎn)的芯片設計和開(kāi)發(fā)過(guò)程中,泄漏電流控制并
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

  •    近日,研發(fā)人員在開(kāi)發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏(power leakage),看起來(lái)有了福音。為了解決這一瓶頸問(wèn)題,歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會(huì )資助550萬(wàn)美元以解決這一難題。   該協(xié)會(huì )的主要成員STMicroelectronics在當地時(shí)間周二(北京時(shí)間周三)發(fā)布的一份聲明中稱(chēng),該協(xié)會(huì )的研發(fā)項目旨在改進(jìn)下一代芯片系統半導體的設計,解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問(wèn)題。   據悉,該項稱(chēng)為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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利用射頻功率檢測器和高效切換器增強CDMA PA功率

  • 高數據速率的需求推動(dòng)著(zhù)移動(dòng)通信系統從 2G 向 3G 遷移。這些系統中更高的數據速率為移動(dòng)電話(huà)射頻設計增加了更多的性能和規格要求。
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一種新穎的電流臨界導通的功率因數校正芯片的研究

  • 介紹了一種新穎的電流臨界導通(DCMboundary)的功率因數校正(PFC)芯片。它的主要特點(diǎn)是提高了高電壓輸入時(shí)的功率因數,減少了輸入電流的總的諧波含量(THD)
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利用升壓三極管獲取更多功率的方法

  •   本設計實(shí)例采用的6L6束射功率管盡管已經(jīng)存在了66年,現仍然十分流行地應用于電吉他放大器中,與其同類(lèi)的6CA7 (EL34)功率五極管也是高保真音響"發(fā)燒友"之所愛(ài)。這些電子管的開(kāi)發(fā)人員將它們設計得以五極管模式工作,而在這種模式下它們能夠輸出最大的音頻功率。另一方面,許多高保真音響愛(ài)好者更喜歡以三極管模式工作,而且直到現在也不得不將輸出功率降低50%。輸出功率降低意味著(zhù)他們需要更大的電源和兩倍數量的昂貴電子管來(lái)從三極管放大器中獲得五極管的功率。圖1a、1b和1c分別示出了將6L6變?yōu)槲鍢O管、實(shí)三極管和
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用開(kāi)關(guān)模式控制器Si9114組成的高頻高效DC-DC變換器

  • 摘 要:Si9114是Siliconix公司新近推出的電壓變換控制集成電路。它的開(kāi)關(guān)頻率更高,可達到1MHz,這樣就可以減小儲能元件的尺寸,使采用陶瓷電容器變成可能,提高了系統的可靠性,降低了成本。Si9114還有同步輸出引線(xiàn),使得多個(gè)Si9114的并聯(lián)工作很容易實(shí)現。本文就Si9114的工作原理進(jìn)行了分析,并給出了用該電路組成的在電訊領(lǐng)域廣為應用的48V到5V的DC-DC變換串的應用電路 關(guān)鍵詞:電源;開(kāi)關(guān);控制;功率;DC變換;軟啟動(dòng)    1 引言    
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帶有串行接口的功率/電能計量芯片CS5460及其應用

  • 摘要:CS5460是CRYSTAL公司最新推出的帶有串行接口的單相雙向功率/電能計量集成電路芯片,該芯片比目前比較流行的電子電度表芯片如AD7750、AD7755更容易實(shí)現與微處理器的連接。用CS5460可以方便的組成多功能電子式電度表和分布電度表和分布式電能計量管理系統。本文詳細地介紹了 CS5460的功能和使用方法。  關(guān)鍵詞:CS5460;串行接口;功率/電能;計量;應用 1. 概述     CS5460是CRYSTAL公司最新推出的帶有串行接口的單相雙
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功率因數校正和鎮流器控制芯片IR2167

  • IR2167是完全集成、完全保護,可驅動(dòng)所有類(lèi)型熒光燈的600V電子鎮流器控制芯片。PFC電路以臨界導通模式(CCM)工作,可獲得很高的功率因數,
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現代功率模塊及器件應用技術(shù)

  • 最近20年來(lái),功率器件及其封裝技術(shù)的迅猛發(fā)展,導致了電力電子技術(shù)領(lǐng)域的巨大變化。當今的市場(chǎng)要求電力電子裝置要具有寬廣的應用范圍、量體裁衣的解決方案、集成化、智能化、更小的體積和重量、效率更高的芯片、更加優(yōu)質(zhì)價(jià)廉
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功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題研究

  • 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題進(jìn)行了研究,詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過(guò)Q軌跡把器件參數和外圍電路聯(lián)系起來(lái),得出較大的Q值和適當的Ls/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗結果均表明該方法的正確性。
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起直流穩壓(流)電子負載核心作用的功率 MOSFET

  • 設計人員都用直流電子負載來(lái)測試電源,如太陽(yáng)能陣列或電池,但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線(xiàn)性區內使用,就可制作出自己的直流電子負載(圖 1)。
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零電壓開(kāi)關(guān)溫度/功率控制器UAA1016/UAA2016及其應用

  • UAA1016/UAA2016是采用零電壓技術(shù)設計的、可驅動(dòng)雙向可控硅的溫度/功率控制器集成電路,通過(guò)該芯片可實(shí)現電阻性負載的無(wú)RFI功率調節。文中介紹了UAA1016/UAA2016的主要特點(diǎn)、基本原理及應用電路。
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W-CDMA手機應充分利用LMV228線(xiàn)性增益射頻功率檢波器

  • 自從寬帶碼分多址 (W-CDMA) 技術(shù)于 1997 年面世以來(lái),便一直成為歐洲、中國及日本等地的電話(huà)廠(chǎng)商所共同采用的第三代 (3G) 蜂窩式移動(dòng)電話(huà)標準。W-CDMA 移動(dòng)電話(huà)采用直接順序碼分多址 (DS_CDMA) 技術(shù),而且其傳送原始數據的速度可以高達 3.84Mbps。
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小功率工業(yè)遙控器的研制

  • 介紹一種應用在工業(yè)現場(chǎng)的具有高可靠性的無(wú)線(xiàn)遙控器的研制開(kāi)發(fā)。
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功率介紹

概述  功率是指物體在單位時(shí)間內所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。   求功率的公式為功率=功/時(shí)間   求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R   P表示功率,單位是“瓦特”,簡(jiǎn)稱(chēng)“瓦”,符號是“w”。W表示功,單位是“焦耳”,簡(jiǎn)稱(chēng)“焦”,符號是“J”。t表示時(shí)間,單位是“秒”,符號是“s”。因為W=F(f 力)*s(s位移)(功的 [ 查看詳細 ]
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