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功率
功率 文章 進(jìn)入功率技術(shù)社區
歐洲數字系統芯片功率泄漏控制項目
- 來(lái)自歐洲7個(gè)國家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過(guò)解決65nm節點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問(wèn)題來(lái)改進(jìn)下一代系統芯片設計的開(kāi)發(fā)項目。根據IST第六框架計劃的“納電子”戰略目標,歐洲委員會(huì )為這個(gè)名為CLEAN (控制NanoCMOS系統芯片泄漏功率)的項目提供了450萬(wàn)歐元的贊助費。 在線(xiàn)寬大于0.1微米的微電子電路中,與晶體管泄漏電流相比,計算、通信和存儲操作造成的動(dòng)態(tài)功耗是芯片功耗的主體。因此,直到今天,在沒(méi)超過(guò)這個(gè)技術(shù)節點(diǎn)的芯片設計和開(kāi)發(fā)過(guò)程中,泄漏電流控制并
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
- 近日,研發(fā)人員在開(kāi)發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏(power leakage),看起來(lái)有了福音。為了解決這一瓶頸問(wèn)題,歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會(huì )資助550萬(wàn)美元以解決這一難題。 該協(xié)會(huì )的主要成員STMicroelectronics在當地時(shí)間周二(北京時(shí)間周三)發(fā)布的一份聲明中稱(chēng),該協(xié)會(huì )的研發(fā)項目旨在改進(jìn)下一代芯片系統半導體的設計,解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問(wèn)題。 據悉,該項稱(chēng)為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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利用升壓三極管獲取更多功率的方法
- 本設計實(shí)例采用的6L6束射功率管盡管已經(jīng)存在了66年,現仍然十分流行地應用于電吉他放大器中,與其同類(lèi)的6CA7 (EL34)功率五極管也是高保真音響"發(fā)燒友"之所愛(ài)。這些電子管的開(kāi)發(fā)人員將它們設計得以五極管模式工作,而在這種模式下它們能夠輸出最大的音頻功率。另一方面,許多高保真音響愛(ài)好者更喜歡以三極管模式工作,而且直到現在也不得不將輸出功率降低50%。輸出功率降低意味著(zhù)他們需要更大的電源和兩倍數量的昂貴電子管來(lái)從三極管放大器中獲得五極管的功率。圖1a、1b和1c分別示出了將6L6變?yōu)槲鍢O管、實(shí)三極管和
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用開(kāi)關(guān)模式控制器Si9114組成的高頻高效DC-DC變換器
- 摘 要:Si9114是Siliconix公司新近推出的電壓變換控制集成電路。它的開(kāi)關(guān)頻率更高,可達到1MHz,這樣就可以減小儲能元件的尺寸,使采用陶瓷電容器變成可能,提高了系統的可靠性,降低了成本。Si9114還有同步輸出引線(xiàn),使得多個(gè)Si9114的并聯(lián)工作很容易實(shí)現。本文就Si9114的工作原理進(jìn)行了分析,并給出了用該電路組成的在電訊領(lǐng)域廣為應用的48V到5V的DC-DC變換串的應用電路 關(guān)鍵詞:電源;開(kāi)關(guān);控制;功率;DC變換;軟啟動(dòng) 1 引言
- 關(guān)鍵字: 電源 開(kāi)關(guān) 控制 功率 DC變換 軟啟動(dòng) 模擬IC 電源
零電壓開(kāi)關(guān)溫度/功率控制器UAA1016/UAA2016及其應用
- UAA1016/UAA2016是采用零電壓技術(shù)設計的、可驅動(dòng)雙向可控硅的溫度/功率控制器集成電路,通過(guò)該芯片可實(shí)現電阻性負載的無(wú)RFI功率調節。文中介紹了UAA1016/UAA2016的主要特點(diǎn)、基本原理及應用電路。
- 關(guān)鍵字: UAA1016/UAA2016 及其 應用 控制器 功率 開(kāi)關(guān) 溫度 電壓
功率介紹
概述 功率是指物體在單位時(shí)間內所做的功,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數量一定,時(shí)間越短,功率值就越大。
求功率的公式為功率=功/時(shí)間
求功率的公式也為P=W/t =UI=I方R=U方/R
P表示功率,單位是“瓦特”,簡(jiǎn)稱(chēng)“瓦”,符號是“w”。W表示功,單位是“焦耳”,簡(jiǎn)稱(chēng)“焦”,符號是“J”。t表示時(shí)間,單位是“秒”,符號是“s”。因為W=F(f 力)*s(s位移)(功的 [ 查看詳細 ]
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