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功率器件
功率器件 文章 進(jìn)入功率器件技術(shù)社區
如何準確選擇功率器件二
- 第三步：確定熱要求 選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
- 關(guān)鍵字： 功率器件
如何準確選擇功率器件一
- 所謂功率半導體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
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國產(chǎn)IGBT廠(chǎng)商開(kāi)始小批量銷(xiāo)售
- “十二五”規劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節能減排”工作也深入開(kāi)展，中國開(kāi)始從粗放型用電到精細化用電轉型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專(zhuān)項中提供多方位的支持。 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
- 關(guān)鍵字： 新能源 功率器件 IGBT
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件
- 富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實(shí)現低碳社會(huì )做出重大貢獻。 與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加，來(lái)實(shí)現低成本生產(chǎn)。按照此目標，富
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 硅基板
電動(dòng)汽車(chē)對電源芯片與功率器件挑戰
- 在汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展方向上，電動(dòng)汽車(chē)(EV)和油電混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)正成為一個(gè)明顯的趨勢。從技術(shù)角度來(lái)說(shuō)，目前更...
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車(chē) 電源芯片 功率器件
汽車(chē)系統中的功率電子技術(shù)
- 一、導言汽車(chē)中使用電子產(chǎn)品可以追溯到使用電動(dòng)啟動(dòng)器替代手動(dòng)曲柄的20世紀初。上世紀60年代，隨著(zhù)固體電...
- 關(guān)鍵字： 動(dòng)力傳動(dòng) 汽車(chē)前燈 功率器件
功率器件介紹
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