SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性以及GaN HEMT 的柵極特性
加入技術(shù)交流群
來(lái)源：芯TIP
報告主題：SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性以及GaN HEMT的柵極特性
報告作者：Professor Layi Alatise and Dr Jose Ortiz Gonzalez
報告內容包含：（具體內容詳見(jiàn)下方全部報告內容）
SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性：
使用第三象限特性表征 BTI、使用串擾表征 BTI
GaN HEMT 中的柵極特性：
柵極特性、第三象限特性以及柵極應力和閾值電壓不穩定性
報告詳細內容
▍SiC/GaN功率器件的柵極界面可靠性
▍GaN HEMT 的柵極特性
*博客內容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布，僅代表博主個(gè)人觀(guān)點(diǎn)，如有侵權請聯(lián)系工作人員刪除。
