功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區

力特主攻傳感器、功率器件

　　*貴公司所關(guān)注的智能制造(傳感、控制或安全等)方面，相關(guān)的技術(shù)及發(fā)展趨勢如何?　　Littelfuse目前致力于消費類(lèi)電子產(chǎn)品的市場(chǎng)推進(jìn)，利用我們在電路保護領(lǐng)域取得的優(yōu)勢進(jìn)一步的拓寬傳感器和電源控制的產(chǎn)品。這些都是我們的未來(lái)的產(chǎn)品的方向，智能化的穿戴設備智能家居都離不開(kāi)傳感器的存在，例如我們的位置開(kāi)關(guān)，門(mén)禁開(kāi)關(guān)都是我們的傳感器的產(chǎn)品。電源控制產(chǎn)品是基于我們傳統的半導體的技術(shù)的進(jìn)一步的創(chuàng )新，例如我們的開(kāi)發(fā)的碳化硅的開(kāi)關(guān)器件可以很好地降低開(kāi)關(guān)的損耗，提高開(kāi)關(guān)頻率更好的適應電力電子產(chǎn)品對器件的高性能的需求。
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新型GaN功率器件的市場(chǎng)應用趨勢

　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì )　　時(shí)間：2016.01.14 下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng )業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇富士通電子元器件市場(chǎng)部高級經(jīng)理　　主持人：接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車(chē)以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長(cháng)電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰了。所有這一切都意味著(zhù)電子產(chǎn)業(yè)會(huì )越來(lái)越依賴(lài)新型功
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用結點(diǎn)溫度評估器件可靠性的案例分析

　　摘要：工程師在設計一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 　　工程師在設計的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：　　　　其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點(diǎn)溫度，目前大多數芯片的結點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻，Rcs
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一種無(wú)采樣電阻的功率器件保護方法

　　MOSFET或IGBT保護方法有很多，有專(zhuān)門(mén)帶保護的驅動(dòng)電路，也有用康銅絲做電流采樣的保護電路。專(zhuān)門(mén)帶保護的驅動(dòng)電路一般成本較高，用康銅絲做電流采樣+比較器容易產(chǎn)生振蕩。下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法。　　下面介紹一種無(wú)采樣電阻的方法：　　　　上圖中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是負載，D1是采樣二極管，R2是上拉電阻。在Q1導通時(shí)D1的K極電壓就是Q1壓降，D1的A極電壓在其基礎上高了D1壓降(Q1壓降+D1壓降)。D1壓降是恒定值，當過(guò)載時(shí)Q1壓降增大，從
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電源模塊并聯(lián)應用的方法和注意事項

　　摘要：在電源系統設計中，當一個(gè)電源模塊的功率無(wú)法滿(mǎn)足系統的設計要求時(shí)，我們往往會(huì )考慮多個(gè)模塊的并聯(lián)使用。如果并聯(lián)設計不合理，就會(huì )導致并聯(lián)模塊輸出均流失效，會(huì )有燒壞電源模塊、甚至損壞后級系統的風(fēng)險。今天跟大家簡(jiǎn)單分享一些造成電源模塊并聯(lián)失效的真正原因。　　目前電源系統的發(fā)展趨勢采用新型的功率器件實(shí)現小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過(guò)并聯(lián)進(jìn)行擴容。電源并聯(lián)運行是電源產(chǎn)品模塊化、大容量化的一個(gè)有效方案，是電源技術(shù)發(fā)展的趨勢之一，是實(shí)現組合大功率電源系統的重點(diǎn)。　　　　1.不
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三菱電機在PCIM亞洲展2015推介九款功率器件

　　三菱電機今年以“創(chuàng )新功率器件構建可持續未來(lái)”為題，攜帶九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2015(展位號4A08)中隆重亮相。　　今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：工業(yè)傳動(dòng)、光伏發(fā)電、變頻家電、軌道牽引及電動(dòng)汽車(chē)，致力為客戶(hù)提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　工業(yè)及光伏發(fā)電市場(chǎng) 　　針對工業(yè)光伏逆變器市場(chǎng)的需要，三菱電機將展出四款新型功率模塊，包括第7代IGBT模塊、DIPIPM+模塊、4in1 T型三電平逆變器用IGBT模
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SiC功率器件的技術(shù)市場(chǎng)走勢

　　摘要：探討了SiC的技術(shù)特點(diǎn)及其市場(chǎng)與應用。　　近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學(xué)內舉辦了以“SiC功率元器件技術(shù)動(dòng)向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學(xué)習會(huì )。此次交流學(xué)習會(huì )上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場(chǎng)采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開(kāi)發(fā)以及市場(chǎng)情況做了詳盡的介紹。　　各種功率器件的比較　　功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類(lèi)：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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功率器件行業(yè)面臨的風(fēng)險

　　功率器件在我國還屬于朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)，就其在中國發(fā)展的歷程來(lái)看，從20世紀50年底的可控硅SCR發(fā)展到80年代的較為成熟的絕緣柵雙極晶體管IGBT，發(fā)展時(shí)間較短。就其增長(cháng)速度來(lái)看，市場(chǎng)規模增長(cháng)速度較快，高于我國制造業(yè)的平均增長(cháng)速度，并已經(jīng)成為了全球最大的功率器件市場(chǎng)。　　根據統計局的數據顯示，2013年，我國功率器件銷(xiāo)售額比2012年增長(cháng)9.9%，銷(xiāo)售金額達到1804.87億元。就其下游需求行業(yè)來(lái)看，無(wú)論是從生活聯(lián)系緊密的數碼相機、LED電視、手機到新能源汽車(chē)、工業(yè)控制，均是目前成長(cháng)良好需求廣闊甚至在未來(lái)
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IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實(shí)現對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠實(shí)現節能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來(lái)應用發(fā)展的必然
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三菱電機估計功率器件市場(chǎng)到2016年再創(chuàng )新高

　　三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在參加2014年P(guān)CIM亞洲展時(shí)，估計功率器件市場(chǎng)在整體經(jīng)歷了2012年的業(yè)績(jì)下滑后，市場(chǎng)正在逐漸恢復并升溫，預計到2016年，整體業(yè)績(jì)可以回復到2011年的歷史高峰。　　為了滿(mǎn)足市場(chǎng)需要，三菱電機功率半導體制作所總工程師佐藤克己先生表示，三菱電機持續每年投入產(chǎn)品研發(fā)，降低產(chǎn)品的重量、尺寸和損耗，最終實(shí)現提升性能和降低成本?，F時(shí)集中發(fā)展第7代IGBT模塊、混合碳化硅產(chǎn)品、工業(yè)用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì )于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 　　IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 　　東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出&
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電源及其測試的熱點(diǎn)與動(dòng)向

　　通過(guò)對眾多公司的訪(fǎng)問(wèn)，發(fā)現數字電源是增長(cháng)很快的領(lǐng)域;功率器件的效能在提升，封裝是其創(chuàng )新的一個(gè)重要部分;電源模塊正面向特定的應用和客戶(hù)，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領(lǐng)域挺進(jìn);電源測試在從單臺儀器向整體解決方案轉型。
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前車(chē)門(mén)控制器解決方案

本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車(chē)車(chē)門(mén)控制器設計方案，即以安森美半導體系統基礎芯片NCV7462和...
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電動(dòng)汽車(chē)的電源與功率器件興起之勢

　　雖然電動(dòng)汽車(chē)完全成為主流還需要一定的時(shí)間，但一些制造商深信面向大眾市場(chǎng)的零排放汽車(chē)時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨。當談到針對未來(lái)交通開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，電動(dòng)汽車(chē)和電池產(chǎn)業(yè)毫無(wú)疑問(wèn)是焦點(diǎn)所在，當前研發(fā)工作重點(diǎn)放在提高電池存儲容量和加快電池充電時(shí)間。通過(guò)與汽車(chē)和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場(chǎng)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)新的技術(shù)和解決方案。　　下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)電池模塊中的過(guò)溫檢測。該例使用了一個(gè)熱敏傳感器陣列來(lái)監視單節電池故障。由于給PPTC器件加熱會(huì )使器件電阻迅速非
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