如何準確選擇功率器件一

　　早期的功率半導體器件包括：大功率二極管、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統（正因如此，早期才被稱(chēng)為電力電子器件）

　　后來(lái)，隨著(zhù)以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導體器件的迅速發(fā)展，現在功率半導體器件已經(jīng)非常廣泛， 在計算機、通行、消費電子、汽車(chē)電子 為代表的4C行業(yè)（computer、communication、consumer electronics、cartronics），功率半導體器件可以說(shuō)是越來(lái)越火，現在不是要節能環(huán)保嗎，所以就需要對電壓電流的運用進(jìn)行有效的控制，這就與功率器件密不可分！ 功率管理集成電路（Power Management IC，也被稱(chēng)為電源管理IC）已經(jīng)成為功率半導體器件的熱點(diǎn)，發(fā)展非常迅速噢！

　　如何正確選擇MOSFET管

　　隨著(zhù)制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統設計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標來(lái)選擇正確的MOSFET。

　　MOSFET的選擇

　　MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導通。導通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內阻，稱(chēng)為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時(shí)刻導通或關(guān)閉，導致系統產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電壓為零時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱(chēng)之為漏電流，即IDSS。

　　第一步：選用N溝道還是P溝道

　　為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個(gè)MOSFET接地，而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí)，該MOSFET就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關(guān)閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線(xiàn)及負載接地時(shí)，就要用高壓側開(kāi)關(guān)。通常會(huì )在這個(gè)拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動(dòng)的考慮。

　　要選擇適合應用的器件，必須確定驅動(dòng)器件所需的電壓，以及在設計中最簡(jiǎn)易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實(shí)踐經(jīng)驗，額定電壓應當大于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會(huì )失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會(huì )隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。設計人員必須在整個(gè)工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍，確保電路不會(huì )失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設備（如電機或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。
第二步：確定額定電流

　　第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個(gè)額定電流，即使在系統產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOSFET處于穩態(tài)，此時(shí)電流連續通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。

　　選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實(shí)際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過(guò)程中會(huì )有電能損耗，這稱(chēng)之為導通損耗。MOSFET在“導通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度而顯著(zhù)變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì )隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì )越??；反之RDS（ON）就會(huì )越高。對系統設計人員來(lái)說(shuō)，這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易（較為普遍），而對于工業(yè)設計，可采用較高的電壓。注意RDS（ON）電阻會(huì )隨著(zhù)電流輕微上升。關(guān)于RDS（ON）電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。

　　技術(shù)對器件的特性有著(zhù)重大影響，因為有些技術(shù)在提高最大VDS時(shí)往往會(huì )使RDS（ON）增大。對于這樣的技術(shù)，如果打算降低VDS和RDS（ON），那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。業(yè)界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù)，其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。

　　在溝道技術(shù)中，晶片中嵌入了一個(gè)深溝，通常是為低電壓預留的，用于降低導通電阻RDS（ON）。為了減少最大VDS對RDS（ON）的影響，開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了外延生長(cháng)柱/蝕刻柱工藝。