綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

日前，電子發(fā)燒友網(wǎng)攜手飛兆半導體等業(yè)界五大知名廠(chǎng)商，成功舉辦“2013電源管理技術(shù)研討會(huì )”，200多位技術(shù)研發(fā)工程師積極參與，同行業(yè)領(lǐng) 袖和技術(shù)專(zhuān)家圍繞綠色電源系統解決方案、電源設計軟件工具、電源電路保護、平板、手機散熱以及電源測試展開(kāi)互動(dòng)討論，共同探討技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)前景。

　　會(huì )上，飛兆半導體技術(shù)行銷(xiāo)部高級工程師閔江威先生發(fā)表精彩演講，詳細介紹了飛兆半導體綠色電源系統解決方案，包括分立式解決方案--高性能IGBT、超級結MOSFET和新型碳化硅晶體管解決方案，與會(huì )觀(guān)眾收獲頗多。

　　圖1：飛兆半導體技術(shù)行銷(xiāo)部高級工程師閔江威先生

　 　在節能和綠色的大趨勢下、在各機構和政府制定的規范推動(dòng)下，電源和電子設備必須遵守強制性能效規范，以及智能便攜設備小型化多功能的發(fā)展趨勢，要求電源 與電源管理必須提高電源效率、降低待機功耗、改善功率因數、高功率密度、高可靠性、高集成度、小尺寸、智能化、安全和低成本。電源制造商、半導體制造商均 積極開(kāi)發(fā)能夠提高效率的新型解決方案。

　　飛兆半導體MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，由于增加了便攜式設備的使用，在目前的電力系統中，對于電信網(wǎng)絡(luò )基礎建設（3G / LTE LTE-A通訊網(wǎng)絡(luò )）和云系統的各種需求正成為核心議題。因此，針對電信基礎建設和計算包括云系統，對于能夠滿(mǎn)足來(lái)自電源管理應用各種要求的半導體產(chǎn)品和 電子產(chǎn)品需求也已增加。尤其在大中華區，華為（Huawei）、中興（ZTE）和聯(lián)想（Lenovo）專(zhuān)注于電信和計算電源業(yè)務(wù)。

　　為了滿(mǎn)足此市場(chǎng)中對更高功率等級、效率、功率密度等要求，半導體供應商正致力于為市場(chǎng)提供采用小型化封裝的高開(kāi)關(guān)速度、大電流、低RDS（ON）的SJ/MV MOS， IGBT器件。

　　而且，來(lái)自目前材料（例如，硅）的上述既有器件的局限性可以通過(guò)下一代寬帶隙半導體產(chǎn)品，比如SiC和GaN開(kāi)關(guān)來(lái)克服，它們將會(huì )在不久的將來(lái)應用于這個(gè)市場(chǎng)中。

　　圖2：飛兆半導體MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師Jaegil Lee先生

　　以高性能IGBT、MOSFET解決功率管理的挑戰

　 　功率管理的發(fā)展重心將逐漸集中在能效方面。飛兆半導體的高能效解決方案在應對當前功率管理挑戰方面扮演著(zhù)關(guān)鍵的角色。飛兆半導體推出的場(chǎng)截止IGBT具 備高電流能力、低傳導損耗和低開(kāi)關(guān)損耗、易于并聯(lián)運行的正溫度系數、最大結溫： Tj=175℃ 、良好的一致性、更大的SOA（安全工作區）等優(yōu)勢，能夠在高頻應用中滿(mǎn)足低能量損耗的要求。

　　飛兆半導體MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師 Jaegil Lee先生表示，我們相信飛兆的600V平面型場(chǎng)截止 （Field Stop Planar） IGBT是能夠用來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)需求的最好產(chǎn)品之一。對于高頻應用中的低能量損耗要求，飛兆的600 V平面型場(chǎng)截止（Field Stop Planar） IGBT為客戶(hù)提供了解決方案。為繼續滿(mǎn)足客戶(hù)對于高功率密度的期望，并兼容各種市場(chǎng)應用，飛兆在2012年推出了650 V溝槽型場(chǎng)截止（Field Stop Trench） IGBT。其目標應用為工作在中頻開(kāi)關(guān)頻率上的不間斷電源（uninterruptable power supply，UPS）和電焊機應用。650 V溝槽型場(chǎng)截止（Field Stop Trench） IGBT擁有非常嚴格的關(guān)鍵參數控制，并通過(guò)加固設計來(lái)來(lái)保證短路特性來(lái)滿(mǎn)足目標應用。

　　飛兆650 V溝槽型場(chǎng)截止（Field Stop Trench） IGBT會(huì )繼續在高頻應用中降低能量損耗和降低EMI等級等方面發(fā)展。

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