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制程技術(shù)
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Intel 4制程技術(shù)細節曝光 具備高效能運算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會(huì )，公布Intel 4制程的技術(shù)細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達成兩項關(guān)鍵目標：它滿(mǎn)足開(kāi)發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶(hù)端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
- 關(guān)鍵字： Intel 4 制程技術(shù) FinFET Meteor Lake
ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎 長(cháng)跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學(xué)會(huì )（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng )新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿(mǎn)足高復雜度、大功率應用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅動(dòng)器、打印機和汽車(chē)系統等終端應用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導體Agrate工廠(chǎng)的實(shí)時(shí)／
- 關(guān)鍵字： ST BCD 制程技術(shù)
Intel 2013年第四季度轉向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開(kāi)發(fā)者論壇上，Intel曾提到會(huì )在2011年下半年開(kāi)始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會(huì )在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計劃轉向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱(chēng)15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出來(lái)，不過(guò)按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算，預計Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會(huì )在2013年左右。
- 關(guān)鍵字： Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
臺積電0.18微米晶圓制程技術(shù)登陸案獲準
- 臺灣“經(jīng)濟部投審會(huì )”委員會(huì )議 通過(guò)臺灣積體電路制造股份有限公司申請將其上海廠(chǎng)晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請案。這是臺灣方面去年底開(kāi)放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準投資案。 “中央社”報道，臺灣有關(guān)方面去年底宣布開(kāi)放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資，唯一獲準在大陸投資設立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠(chǎng)的臺積電率先提出提升制程申請。 臺積電早于二00五年一月即向當局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請，當局直至去年底政策才正式松綁。臺積電遂補件申請。 二十日
- 關(guān)鍵字： 0.18微米晶圓 單片機 嵌入式系統 臺積電 制程技術(shù) 其他IC 制程
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制程技術(shù)介紹
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