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光刻膠
光刻膠 文章 進(jìn)入光刻膠技術(shù)社區
光刻膠：芯片產(chǎn)業(yè)鏈形成的關(guān)鍵原料
- 光刻膠是利用光化學(xué)反應經(jīng)光刻工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移媒介。作用原理是利用紫外光、準分子激光、電子束、離子束、X 射線(xiàn)等光源的照射或輻射,使其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠主要用于集成電路和半導體分立器件的微細加工，同時(shí)在平板顯示、LED、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過(guò)程中也有著(zhù)廣泛的應用。光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構成，當前光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻膠含量約為80%-90%。主要成分包括樹(shù)脂、單體、光引發(fā)劑及添
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光刻膠和掩膜版，純國產(chǎn)芯片生產(chǎn)需要克服的兩個(gè)重要障礙
- 無(wú)法制造純國產(chǎn)的高端芯片，是國人心中隱隱的痛！目前來(lái)說(shuō)，阻礙國產(chǎn)高端芯片的最大瓶頸就是極紫外光刻機。但是，即使有了極紫外光刻機，也需要光刻膠和掩膜版來(lái)進(jìn)行配套才行。一、光刻機不是直接刻蝕芯片正如上一個(gè)關(guān)于光刻機的視頻所說(shuō)，芯片生產(chǎn)用的光刻機，只是起到曝光的作用，并不進(jìn)行刻蝕。要想用光刻機進(jìn)行直接刻蝕，必然面臨以下幾個(gè)難題。首先，要把激光功率做到足夠大，需要把硅或一些金屬氧化物直接氣化剝離。目前來(lái)說(shuō)，波長(cháng)越短的激光光源制造越困難，實(shí)現大功率越難，現有的紫外、極紫外光源難以產(chǎn)生足夠強的激光。尤其是極紫外光源，
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打破日美壟斷 國產(chǎn)ArF光刻膠取得重大突破：可用于7nm工藝
- 作為半導體卡脖子的技術(shù)之一,很多人只知道光刻機,卻不知道光刻膠的重要性,這個(gè)市場(chǎng)也是被日本及美國公司壟斷,TOP5廠(chǎng)商占了全球85%的份額。國產(chǎn)光刻膠此前只能用于低端工藝生產(chǎn)線(xiàn)中,能做到G 線(xiàn)(436nm)、I 線(xiàn) (365nm)水平,目前主要在用的ArF光刻膠還是靠進(jìn)口,EUV光刻膠目前還沒(méi)有公司能生產(chǎn),基本上都控制在日本公司手中。不過(guò)EUV光刻膠也不是急需的,因為國內目前還沒(méi)有EUV工藝量產(chǎn),193nm的ArF光刻膠更加重要,目前國內有多家公司正在攻關(guān)中,這種光刻膠可以用于28nm
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90%市場(chǎng)被國外廠(chǎng)商壟斷 光刻膠國產(chǎn)化急需提速！
- 近年來(lái),雖然中國在芯片設計領(lǐng)域有了突飛猛進(jìn)的發(fā)展,涌現出了一批以華為海思為代表的優(yōu)秀的芯片設計企業(yè),但是在芯片制造領(lǐng)域,中國與國外仍有著(zhù)不小的差距。不僅在半導體制程工藝上落后國外最先進(jìn)工藝近三代,特別是在芯片制造所需的關(guān)鍵原材料方面,與美日歐等國差距更是巨大。即便強大如韓國三星這樣的巨頭,在去年7月,日本宣布限制光刻膠、氟化聚酰亞胺和高純度氟化氫等關(guān)鍵原材料對韓國的出口之后,也是被死死的“卡住了脖子”,急得如熱鍋上的螞蟻,卻又無(wú)可奈何。最后還是日本政府解除了部分限制之后,才得以化解了危機。而在美國制裁中興
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日本部分解除對韓出口限制：光刻膠不再禁售
- 2019年7月初，日韓突然陷入制裁爭端，日本宣布限制對韓出口三種關(guān)鍵的半導體材料，分別是電視和手機OLED面板上使用的氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、半導體制造中的核心材料光刻膠(Photoresist)和高純度氟化氫(Eatching Gas)。日本方面敢這么做當然是有底氣的，基本壟斷著(zhù)全球的氟聚酰亞胺、氟化氫材料市場(chǎng)，分別占全球份額的90％、70％之多，韓國企業(yè)更是嚴重依賴(lài)日本供應，禁售直接帶來(lái)了毀滅性的打擊。據外媒最新報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已經(jīng)部分解除了對韓國出口光刻膠的限制。今后
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SEMI：半導體材料市場(chǎng)反彈至創(chuàng )新的記錄
- 根據SEMI于SEMICON West上最新的數據報道，由于IC出貨量的持續增加，導致半導體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預期2011年的增速減緩。 2010年總的半導體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26，2%)提高到217.1億美元，但仍未超過(guò)2008年241.9億美元水平 。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會(huì )上公布的數據。 在2010年中增長(cháng)最快是硅片(32%up，達94.1億美元)，緊接著(zhù)是光刻膠(2
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TFT高性能光刻膠國產(chǎn)化勢在必行
- TFT-LCD產(chǎn)業(yè)是當今產(chǎn)業(yè)界幾個(gè)高成長(cháng)產(chǎn)業(yè)之一。近10年來(lái)，日本、韓國及我國臺灣等國家和地區，已經(jīng)為它投資了上千億美元，形成地域相當集中、規模相當巨大的產(chǎn)業(yè)集群。 我國光刻膠用量逐年增加 中國液晶產(chǎn)業(yè)始于1980年，起步并不晚。但是我們長(cháng)期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正開(kāi)始大規模建設TFT-LCD生產(chǎn)線(xiàn)，目前已經(jīng)量產(chǎn)的廠(chǎng)家主要是京東方、上廣電、龍騰和深超光電4家，產(chǎn)能約占全球總產(chǎn)能的4%。 目前我國在建和待建的大尺寸TFT-LCD生產(chǎn)線(xiàn)共有8條，其中，京東方除了規劃
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華飛微電子：國產(chǎn)高檔光刻膠的先行者
- 光刻膠是集成電路中實(shí)現芯片圖形轉移的關(guān)鍵基礎化學(xué)材料，在光刻膠的高端領(lǐng)域，技術(shù)一直為美國、日本廠(chǎng)商等所壟斷;近年來(lái)，本土光刻膠供應商開(kāi)始涉足高檔光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)，蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。 據華飛微電子總工程師兼代總經(jīng)理冉瑞成介紹，目前華飛主要產(chǎn)品系列為248nm成膜樹(shù)脂及光刻膠，同時(shí)重點(diǎn)研發(fā)193nm成膜樹(shù)脂及光刻膠和高檔專(zhuān)用UV成膜樹(shù)脂及光刻膠。 冉瑞成表示，248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規模集成電路制造的關(guān)鍵功能材料，目前的供應商基本來(lái)自美國、日
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光刻膠介紹
光刻膠-正文 又稱(chēng)光致抗蝕劑，由感光樹(shù)脂、增感劑（見(jiàn)光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹(shù)脂經(jīng)光照后，在曝光區能很快地發(fā)生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見(jiàn)圖）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過(guò)程。光刻膠的技術(shù)復雜，品種較多。根據其化學(xué)反應機理和顯影原理， [ 查看詳細 ]
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