光刻膠材料的重大突破 極紫外光刻邁向實(shí)用

Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進(jìn)行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時(shí)滿(mǎn)足高敏感度、高分辨率、低線(xiàn)寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。

在國際光學(xué)工程學(xué)會(huì )(SPIE)舉行的光刻大會(huì )上，Intel就進(jìn)行了這方面的展示，使用一種正型化學(xué)放大光刻膠(CAR)結合極紫 外底層，以及一種相應的漂洗劑，最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率，并滿(mǎn)足敏感度和LWR要求。

Intel據此驕傲地宣布，經(jīng)過(guò)數十年的不懈努力，極紫外光刻技術(shù)已經(jīng)從研究層面邁向實(shí)用，當然了，真正商用仍 尚需時(shí)日。

藍色部分即代表光刻膠