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東芝.繼電器
東芝.繼電器 文章 進(jìn)入東芝.繼電器技術(shù)社區
東芝旗下西屋電氣最快周二申請破產(chǎn) 尋韓國電力支持
- 據日本經(jīng)濟新聞周一報道，東芝旗下的美國核業(yè)務(wù)西屋電氣(Westinghouse Electric)最快將于周二申請破產(chǎn)保護，并尋求韓國電力(KEPCO)的支持。 報道稱(chēng)，申請破產(chǎn)保護可能有助于東芝控制因西屋虧損引起的損失。 消息人士周五對路透社表示，東芝已通知其主要關(guān)聯(lián)銀行，計劃讓旗下美國核業(yè)務(wù)西屋電氣在3月31日申請破產(chǎn)，這會(huì )使東芝本財年該業(yè)務(wù)相關(guān)費用升至大約1萬(wàn)億日圓(約合90億美元)。 報道稱(chēng)，西屋董事會(huì )最早將于周二開(kāi)會(huì )，決定是否利用破產(chǎn)法第11章，有可能同日申請破產(chǎn)。報道
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東芝推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超結N溝道功率MOSFET，該產(chǎn)品適用于工業(yè)和辦公設備。該新“DTMOS V系列”最初將提供12款產(chǎn)品。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)，批量生產(chǎn)發(fā)貨計劃于3月中旬啟動(dòng)?！ ≡撔孪盗袚碛信c東芝當前的“DTMOS IV系列”相同水平的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)，其優(yōu)化的設計流程使EMI性能提升約3至5dB[1]。而且，降低的單位面積導通電阻(RON x A)性能使新的650v 0.
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東芝推出配有內置偏移電壓全時(shí)檢測功能及電流反饋系統的汽車(chē)音響功率放大器IC
- 東京—東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TCB502HQ”，該產(chǎn)品是一款4聲道功率放大器IC，其可檢測輸出偏移電壓，輸出偏移電壓是導致喇叭燒毀的因素之一。批量生產(chǎn)即日啟動(dòng)?！ ∵@款全新IC集成有一個(gè)新開(kāi)發(fā)的偏移電壓全時(shí)檢測電路，在放聲期間依然可以檢測輸出偏移電壓，從而避免喇叭燒毀?！ ?nbsp; 制造商們不斷通過(guò)改善汽車(chē)音響的音質(zhì)來(lái)設法滿(mǎn)足消費者的需求，這款新IC集成有類(lèi)似于高端高保真音響中采用的電流反饋系統，有助于制造商們滿(mǎn)足消費者的需求。這樣即可在較寬帶寬范
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東芝推出無(wú)需電流檢測電阻的雙極步進(jìn)電機驅動(dòng)器IC
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出一款無(wú)需額外電流檢測電阻的雙極步進(jìn)電機驅動(dòng)器“TB67S508FTG”，其提供40V的高電壓和3.0A的電流。樣品發(fā)貨即日啟動(dòng)?！ ≡摦a(chǎn)品有助于打印機、辦公室自動(dòng)化設備、監控攝像頭、ATM等銀行終端、驗鈔機、游樂(lè )設備和家用電器等實(shí)現小型化，從而實(shí)現空間節省和設計改進(jìn)。作為縮小IC板和減少產(chǎn)品內部熱量的一種方式，低功耗也變得日益重要?！ ?nbsp; 新的IC采用了東芝ACDS[1]結構，該結構之前用于單極步進(jìn)電機驅動(dòng)器I
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東芝半導體與存儲創(chuàng )新高，展臺再現法寶
- 在日前舉辦的“2017慕尼黑上海電子展”上，東芝巨型而醒目的展位前人頭攢動(dòng)。不僅如此，東芝還舉辦了新聞發(fā)布會(huì )，介紹了近來(lái)東芝的改組情況及展會(huì )上的新展品。?東芝半導體與存儲業(yè)務(wù)創(chuàng )史上新高 東芝發(fā)布會(huì )上，東芝電子(中國)公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁介紹稱(chēng)：2016財年(2017年3月)，預計整個(gè)東芝營(yíng)業(yè)額超過(guò)三千億日元，成為東芝歷史上銷(xiāo)售第二高的年份。不過(guò)，由于在美國的西屋核電的損失，造成2016年財務(wù)資不抵債的風(fēng)險，下個(gè)月，即4月1日，東芝存儲器部門(mén)將獨立出來(lái)，成立東芝memory，還是東芝1
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東芝推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向高效電源推出具備改進(jìn)的低導通電阻、高速開(kāi)關(guān)的800V超級結N溝道功率MOSFET?！癉TMOS?IV系列”的八款新MOSFET利用超結結構，與東芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可將其單位面積導通電阻(RON?x?A)降低近79%。?該系列產(chǎn)品改進(jìn)的高速開(kāi)關(guān)還有助于提高使用該系列產(chǎn)品的芯片組的電源效率。這些MOSFET適用于工業(yè)電源，服務(wù)器、筆記本電腦適配器和充電器以及移動(dòng)設備的備用電源以及LED照明燈
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東芝面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅動(dòng)的100V?N溝道功率MOSFET，以此擴大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容?！癠-MOS?VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)?！ ‰S著(zhù)快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級側整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結構工藝，實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導通電阻和高速性能。該結
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“芯科技 智社會(huì ) 創(chuàng )未來(lái)”——東芝再次發(fā)力慕展
- 日本半導體制造商株式會(huì )社東芝(Toshiba)存儲&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布，將在3月14至16日的慕尼黑上海電子展E4館4300展位上，以“芯科技 智社會(huì ) 創(chuàng )未來(lái)”為主題，展示東芝針對“Automotive”、“IoT”、“Industrial”和“Memory & Storage”4大應用領(lǐng)域所研發(fā)的最新技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案呈現給迅猛增長(cháng)的中國ICT市場(chǎng)?！ ∫劳蓄I(lǐng)先的芯片技術(shù)，構建智能的社會(huì )生活，從而開(kāi)創(chuàng )充滿(mǎn)想象力的未
- 關(guān)鍵字： 東芝 ICT
東芝展示圖像ADAS、虛擬儀表成果，看好自動(dòng)駕駛的亮麗前景
- 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車(chē)技術(shù)日”上，東芝電子(中國)公司工業(yè)及汽車(chē)行業(yè)市場(chǎng)總監譚弘先生做了“基于圖像識別的ADAS”的主旨講演，并向電子產(chǎn)品世界介紹了推出背景及東芝汽車(chē)類(lèi)相關(guān)產(chǎn)品動(dòng)向?！ 』趫D像識別的ADAS可識別電動(dòng)車(chē)和夜間行人 東芝電子目前主做汽車(chē)感知，過(guò)去有CMOS傳感器部門(mén)，但已賣(mài)給SONY，現在如何進(jìn)行圖像處理(算法軟件+Visconti處理器)是東芝關(guān)注的。東芝過(guò)去做電視芯片和PlayStation游戲機等芯片，因此已積累了幾十年圖像處理經(jīng)驗?！ ”M管車(chē)道保持功能很多
- 關(guān)鍵字： 東芝 ADAS
日本政府密切關(guān)注東芝出售芯片部門(mén)事宜
- 日本政府高級發(fā)言人、內閣官房長(cháng)官菅義偉(Yoshihide Suga)今日表示，日本政府目前尚未慮采取措施來(lái)幫助深陷財務(wù)危機的東芝，但對于東芝及其美國核業(yè)務(wù)部門(mén)西屋電氣的發(fā)展動(dòng)態(tài)，將與美國保持溝通。 菅義偉還稱(chēng)，日本政府將密切關(guān)注東芝出售芯片部門(mén)事宜。本月早些時(shí)候曾有報道稱(chēng)，針對東芝出售芯片業(yè)務(wù)事宜，日本政府出于國家安全因素考慮，將對最終的買(mǎi)家進(jìn)行審查。分析人士稱(chēng)，此舉對美國競購者最為有利。 菅義偉今日稱(chēng)：“東芝芯片業(yè)務(wù)在全球極具競爭力，確保相關(guān)技術(shù)崗位留在日本國內至關(guān)重要。另
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東芝為何這么搶手？十大工業(yè)巨頭爭搶東芝！
- 外媒援引消息人士的話(huà)報道稱(chēng)，日本東芝公司記憶芯片業(yè)務(wù)在3月底招標截止日之前將吸引更多潛在投資者參與競購，其中也包括有日本政府支持的公司。 消息人士稱(chēng)，日本開(kāi)發(fā)銀行(The Development BAnk of Japan)正在考慮與美國金融機構聯(lián)手競購。 由于在美國的核電公司出現數十億美元的減記，東芝正在尋求出售其有價(jià)值的資產(chǎn)填補這一漏洞。 東芝拒絕就芯片業(yè)務(wù)的出售進(jìn)展以及潛在競購者進(jìn)行置評。產(chǎn)業(yè)革新機構和日本開(kāi)發(fā)銀行均拒絕置評。 東芝高管表示，對該公司記憶芯片業(yè)務(wù)有興趣的競
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擔憂(yōu)技術(shù)外流 日本INCJ打算競標東芝半導體
- 當年鴻海搶夏普，最大競爭對手就是日本官民基金產(chǎn)業(yè)革新機構(INCJ)，現在同樣的劇本可能重演。外媒報導，擔憂(yōu)技術(shù)外流的日本政府，旗下INCJ打算出手入股東芝半導體事業(yè)，而且打算找企業(yè)伙伴一起競標。 路透社報導，多位關(guān)系人士透露，INCJ考慮對東芝半導體事業(yè)出資，但INCJ不會(huì )單獨參與競標，而是會(huì )跟競標企業(yè)或投資基金合作，一起對東芝半導體事業(yè)出資。但目前這項提案處于早期階段，部分日本官員擔心，輿論會(huì )批評以公共資金紓困企業(yè)。 對此傳聞，INCJ發(fā)言人不與評論，而東芝表示，在業(yè)務(wù)出售過(guò)程，不會(huì )對具體情
- 關(guān)鍵字： INCJ 東芝
打破市場(chǎng)壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話(huà)語(yǔ)權，甚至連收購、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長(cháng)江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠(chǎng)的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會(huì )在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長(cháng)江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
東芝.繼電器介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條東芝.繼電器!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對東芝.繼電器的理解，并與今后在此搜索東芝.繼電器的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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