盛美半導體開(kāi)發(fā)出12英寸單片兆聲波清洗設備

　　3月17日，新成立的盛美半導體(上海)有限公司在中國半導體國際展上展出了十二英寸單片兆聲波清洗設備，本設備用于65nm技術(shù)節點(diǎn)以下的十二英寸高端硅片清洗。盛美獨家具有自主知識產(chǎn)權技術(shù)可使兆聲波能量在12英寸硅片上非常均勻地分布(非均勻度的一個(gè)均方差小于2%)，本技術(shù)在不損傷硅片微結構的條件下使顆粒去除效率達到99.2%。

　　隨著(zhù)半導體芯片的體積越來(lái)越小，當今半導體清洗技術(shù)的一大挑戰是對機械損傷和不良率的控制。65納米節點(diǎn)以下控制電極與電容結構越來(lái)越脆弱。當積成電路線(xiàn)寬越變越小，可影響硅片良率的粒子也越來(lái)越小，而顆粒越小越難清洗。在芯片上如何避免微結構損傷也是一個(gè)很具挑戰的難題，這就造成了芯片良率控制的窗口越來(lái)越小。

　　盛美半導體設備公司的創(chuàng )始人、首席執行官王暉博士說(shuō)：“雖然工業(yè)界一直期盼兆聲波清洗技術(shù)成為半導體關(guān)鍵性清洗難題的解決方案，然而還沒(méi)有任何一家公司可以均勻地控制兆聲波在硅片上的能量分布。盛美的Ultra C單片清洗設備是第一臺能精確控制兆聲波能量均勻度的設備，使用超純凈水在不損傷微結構的條件下顆粒去除效率(PRE)可達到98.3%;如果使用SC1化學(xué)清洗液顆粒去除效率(PRE)可高達99.2%”

　　盛美獨有的自主知識產(chǎn)權技術(shù)，“SAPS” 可以控制兆聲波能量在硅片面內以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。