應用材料公司推出光刻空間成像技術(shù)

　　近日，應用材料公司宣布推出Aera2™ for Lithography系統。半導體制造商通過(guò)運用該系統的IntenCD™技術(shù)可以提升硅片的臨界尺寸一致性(CDU)超過(guò)20%，增加器件的良率并降低每片硅片的圖形曝光成本。此外，Aera2™ for Lithography系統可以延長(cháng)光掩膜的壽命并提高整個(gè)光刻區域的生產(chǎn)力。

　　應用材料公司資深副總裁、硅系統事業(yè)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示：“ 對于45nm及以下技術(shù)節點(diǎn)的臨界尺寸均勻性要求是非常高的，特別是對于雙圖形曝光（double patterning）工藝。并且至少一半的臨界尺寸的變化來(lái)自于光掩膜。通過(guò)在光刻區域中采用應用材料公司已被驗證的空間成像技術(shù)，我們正在幫助芯片制造商追蹤并修正光掩膜質(zhì)量上的偏差，從而獲得更精準的圖形曝光，縮短光刻周期并延長(cháng)光掩膜的可用性。”

　　這項新光刻應用的關(guān)鍵是Aera2 平臺的IntenCD技術(shù)，它能夠將整個(gè)光掩膜生成高精度、高清晰的臨界尺寸均勻性空間圖像。用IntenCD圖像代替基于硅片的測量結果，做出判斷的時(shí)間可以從兩天縮短到僅僅一個(gè)小時(shí)。并且由于消除了多次硅片處理步驟可能帶來(lái)的累積誤差，結果的準確性也得到了提高。更準確的均勻性數據使得先進(jìn)的光刻掃描機可以對臨界尺寸的變化作出補償，大大提高硅片生產(chǎn)中的線(xiàn)寬精度，最終提高產(chǎn)品良率。

　　使用IntenCD技術(shù)定期檢查光掩膜可以大大延長(cháng)其壽命，這是相當重要的優(yōu)點(diǎn)，特別是考慮到現在單個(gè)關(guān)鍵器件工藝層光掩膜的價(jià)值可能超過(guò)10萬(wàn)美元。光掩膜的屬性在多次累積曝光以后會(huì )發(fā)生巨大的和非均勻的變化，霧狀缺陷生成和鍍膜退化引起臨界尺寸誤差。生產(chǎn)主管可以用預知計劃取代傳統的定期光掩膜修復，Aera2系統可以縮短光掩膜修復周期，提高其壽命和可用性。

　　為了優(yōu)化光刻周期，業(yè)界領(lǐng)先的Applied Tetra™ Reticle Clean光掩膜清潔系統也可以被使用到光刻區域中，這樣光掩膜就不必送到工廠(chǎng)外面去修復了。Aera2和Tetra Reticle Clean系統是應用材料公司強勁的已被驗證的光刻解決方案中的最新產(chǎn)品，它們將幫助客戶(hù)實(shí)現成本經(jīng)濟的下一代器件的光刻應用。