聯(lián)電公布技術(shù)發(fā)展圖 質(zhì)疑450mm晶圓可行性

　　在設計自動(dòng)化會(huì )議（DesignAutomationConference，DAC）上，臺灣代工廠(chǎng)商聯(lián)電（UMC）公布了公司的工藝發(fā)展路線(xiàn)圖，并宣布與EDA領(lǐng)域形成聯(lián)盟關(guān)系。
 
　　與代工龍頭廠(chǎng)商臺積電（TSMC）不同，全球第二大代工廠(chǎng)商聯(lián)電（UMC）表示，不開(kāi)發(fā)下一代450mm晶圓技術(shù)。

　　聯(lián)電的65nm技術(shù)已啟動(dòng)了一段時(shí)間，公司將立即進(jìn)入45nm和40nm節點(diǎn)。其競爭對手臺積電也正在將高k金屬柵方案用于32nm節點(diǎn)。

　　聯(lián)電的45/40nm工藝采用多層金屬、銅互連和超低k介質(zhì)等技術(shù)。在該節點(diǎn)，k系數約為2.5，而65nm節點(diǎn)上該數字為3.0。

　　同時(shí)聯(lián)電將采用沉浸式光刻技術(shù)。45/40nm工藝預計在今年底進(jìn)入初產(chǎn)階段。

　　聯(lián)電在32nm節點(diǎn)的研發(fā)上也從未停下腳步，預計將在2010年底發(fā)布，該工藝將采用高k金屬柵技術(shù)。聯(lián)電拒絕透露詳細信息。

　　聯(lián)電預計將在Fab12300mm工廠(chǎng)投入45/40nm工藝，該工廠(chǎng)位于臺灣臺南。從目前來(lái)看，聯(lián)電還為推進(jìn)450mm晶圓廠(chǎng)，而其競爭對手臺積電，以及英特爾和三星正在推行450mm晶圓廠(chǎng)，預計將在2012年完成。

　　 “目前，450mm還不是一項激動(dòng)人心的技術(shù)。”聯(lián)電副總裁李?。↙eeChung）說(shuō)道，“在300mm技術(shù)中，還有許多改善生產(chǎn)效率的事情可以做。”

　　當被問(wèn)及是否認為450mm會(huì )在2012年出現時(shí)，李俊說(shuō)道：“我不相信。”他表示，真正面臨挑戰的是設備制造商，他們對進(jìn)入450mm世代沒(méi)有太大的興趣。

　　聯(lián)電還公布了一些和EDA廠(chǎng)商聯(lián)盟的策略。Cadence和聯(lián)電公布了基于CommonPowerFormat的低功耗設計參考流程，針對聯(lián)電的65nm工藝。

　　Synopsys和聯(lián)電也發(fā)布了低功耗設計參考流程，支持聯(lián)電的65nm工藝。新流程包括基于UnifiedPowerFormat標準的RTL-to-GDSII設計功能。

　　Magma和聯(lián)電也公布了基于聯(lián)電65nm工藝庫的低功耗RTL-to-GDSII設計流程。