傳感器/ASIC集成縮小電流變送器體積

　　電力電子的發(fā)展趨勢與其他電子領(lǐng)域的發(fā)展趨勢沒(méi)有什么不同——更大規模集成加降低元件數量。但是，由于電力電子系統中存在散熱器、磁性元件與線(xiàn)圈等元件，使高水平集成更加困難。微機電系統（MEMS）已在檢測系統得到應用，并可能應用于系統的其他部分。

　　傳統的電流變送器不適合于家電產(chǎn)品和空調系統市場(chǎng)，因為它們體積太大、價(jià)格高昂。而一種成本較低、體積較小的變送器則使得測量這些系統的電流成為可能，唯一受到的限制是漏電、間隙和絕緣等級等外界因素。

　　用于LEM自己的LTS電流變送器的應用定制集成電路（ASIC）采用一個(gè)尺寸僅有22.2mm(長(cháng))×10mm(寬)×24mm(高)的 PCB安裝封裝，實(shí)現了這種霍爾效應閉環(huán)變送器。然后，LEM又開(kāi)發(fā)了使用霍爾效應開(kāi)環(huán)技術(shù)的ASIC，誕生了一系列范圍廣泛的變送器產(chǎn)品，最小型號的尺寸只有18.7mm(長(cháng))× 16.7mm(寬)×10.7mm(高)。

　　這些ASIC集成了電流變送器所需要的電路（場(chǎng)檢測元件，全部有源電子元件，如放大器、晶體管、二極管、齊納管、電壓基準等）。某些部分采用了專(zhuān)門(mén)的硅技術(shù)以改進(jìn)性能，如偏置漂移和增益漂移。磁性電路元件與外殼仍與ASIC分開(kāi)。

　　微型化接下來(lái)的步驟是將這些余下的磁芯元件集成到ASIC封裝中。

　　Minisens/FHS可將一個(gè)待測電流的磁場(chǎng)轉換為一個(gè)電壓輸出。這個(gè)“初級”電流流經(jīng)一根電纜或PCB走線(xiàn)（此電纜或PCB走線(xiàn)位于IC旁但與IC電氣隔離）。IC中的霍爾效應器件測量磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)通過(guò)一個(gè)放置在IC頂部的磁通會(huì )聚器，聚焦在霍爾元件部位。

　　會(huì )聚器的形狀對某些方面作了優(yōu)化，包括測量普通PCB電流水平時(shí)會(huì )遇到的磁場(chǎng)靈敏度（增益）以及線(xiàn)性度。

　　會(huì )聚器提供系數約為8的無(wú)噪聲增益?；魻栐妮敵鐾ㄟ^(guò)自旋技術(shù)作上變頻，這樣既可以探測到小磁場(chǎng)，又不會(huì )有偏移或1/f噪聲問(wèn)題。IC對初級電流磁場(chǎng)的靈敏度最高為600mV/mT。

　　這就是霍爾效應開(kāi)環(huán)技術(shù)的基本工作原理，而所有這些均集成在一只小型IC封裝中。

　　探測的電流可以為正，也可以為負。通過(guò)檢測磁場(chǎng)的極性，產(chǎn)生一個(gè)正電壓輸出或負電壓輸出，該輸出相當于由無(wú)磁場(chǎng)時(shí)初始偏移所確定的基準電壓。標準的初始偏移為2.5V（內部基準）。用戶(hù)可以指定一個(gè)2～2.8V之間的外部基準。

　　Minisens最普通的用法是將其放在一個(gè)PCB走線(xiàn)上方，該走線(xiàn)承載著(zhù)需要測量的電流。為優(yōu)化變送器的功能，需要在走線(xiàn)的尺寸上應用一些簡(jiǎn)單的規則。通過(guò)改變PCB和走線(xiàn)結構，可以測量2～100A之間的電流。一種可行的方法是將IC直接放在某根PCB走線(xiàn)上。我們將這種方式叫“設計 1”見(jiàn)圖1。

圖1 一種可行的PCB設計：走線(xiàn)位于Minisens的正下方

　　在這種方式中，PCB板用于隔離，可測量的電流大小為2～20A。

　　將變送器放在電路板的另一面，但仍然直接跨在走線(xiàn)上，這樣可以改善絕緣性能。電路板的厚度及走線(xiàn)本身都會(huì )影響靈敏度，因為它們都直接影響著(zhù)檢測元件（位于IC內部）與初級導體之間的距離。值得注意的是，較窄走線(xiàn)的靈敏度更高。不過(guò)，走線(xiàn)越窄，溫度升得也越快。

　　走線(xiàn)的溫升決定了可以連續施加的最大安全電流值。采用變寬度走線(xiàn)可以獲得靈敏度與走線(xiàn)溫升的最佳組合。銅的溫度受限于PCB材料的玻璃轉變溫度（135℃），而Minisens的最大工作溫度為125℃。出于安全邊際考慮，最好讓走線(xiàn)工作在低于115℃的溫度下（UL建議不超過(guò)100℃）。為維持這些溫度水平，走線(xiàn)的寬度、厚度和形狀都非常重要。

　　對于小電流（低于10A），建議用初級走線(xiàn)做幾個(gè)圈，以增加初級電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)。對單根走線(xiàn)，Minisens周?chē)呔€(xiàn)的寬度最好大于其下方的走線(xiàn)寬度（以降低溫升）。我們將這種設計叫做“多圈”。

　　舉例來(lái)說(shuō)，可以采用四圈設計如圖2所示，Minisens位于PCB的反面，這是一種高絕緣度的結構。另一種增加靈敏度的方法是使用較窄的走線(xiàn)。

圖2 四圈走線(xiàn)設計/高絕緣度結構

　　高絕緣性來(lái)自于經(jīng)改善的爬電間距與隔離間距，因為初級導體（四圈走線(xiàn)）位于低壓電子元件所在PCB板的反面。這種情況下，確保兩種距離都為8mm（PCB的特性：1.6mm/70μm Cu）（走線(xiàn)寬度：Minisens下為0.78mm，其他地方為3mm）。

　　采用這種設計，在85℃環(huán)境溫度下，可以測量5A的額定初級電流（條件：自然通風(fēng)，30℃走線(xiàn)溫升）。測量范圍為±15A，靈敏度為130mV/A，對15A電流輸出產(chǎn)生2V電壓。

　　用其他技術(shù)可以進(jìn)一步增加靈敏度，如在Minisens上方用一個(gè)“跳線(xiàn)”與PCB走線(xiàn)構成一個(gè)回路，或在不同PCB層之間實(shí)現多個(gè)圈。測量較大電流時(shí)，可以將變送器定位于距初級導體較遠的地方。