青島研制首臺半導體照明關(guān)鍵設備

　　由青島杰生電氣公司承擔的國家“863”半導體照明工程重點(diǎn)項目“氮化鎵-MOCVD深紫外LED材料生長(cháng)設備”制造取得重大突破，有關(guān)人員研制成功了我國首臺具有自主知識產(chǎn)權的、能夠同時(shí)生長(cháng)6片外延片的MOCVD設備。

　　據悉，該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計算機多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專(zhuān)用設備，在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域中具有廣泛應用，是半導體照明產(chǎn)業(yè)上游階段關(guān)鍵設備。目前，國內半導體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設備全部需要從國外購買(mǎi)。

　　青島市科技局人士介紹說(shuō)，半導體照明產(chǎn)業(yè)基地是青島確定重點(diǎn)建設的十大產(chǎn)業(yè)基地之一，今后將在科技攻關(guān)、人才團隊及平臺建設等方面全力推進(jìn)。