奇夢(mèng)達1GB和2GB的省電DDR3 SO-DIMMs開(kāi)始出貨
奇夢(mèng)達公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開(kāi)始出貨給主要客戶(hù),以布局下一代的筆記型計算機市場(chǎng)。奇夢(mèng)達將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化,提供了超強的省電功能,已居于業(yè)界領(lǐng)導地位。在移動(dòng)運算中,省電是新DDR3內存接口很重要的價(jià)值體現,因它能在筆記型計算機及其它移動(dòng)運算應用裝置中,讓電池有較長(cháng)壽命且仍保持較高的性能表現。奇夢(mèng)達率先于2006年6月推出DDR3內存產(chǎn)品,并于2007年5月開(kāi)始出貨給桌上型計算機客戶(hù)。本產(chǎn)品的推出是奇夢(mèng)達在DDR3產(chǎn)品策略上重要的進(jìn)步,同時(shí)也遵守了奇夢(mèng)達在產(chǎn)品定義上的承諾。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/78533.htm奇夢(mèng)達計算類(lèi)事業(yè)部副總裁Michael Buckermann表示:“奇夢(mèng)達的1GB和2GB的DDR3 SO-DIMMs讓我們的客戶(hù)可以充份享受DDR3顯著(zhù)減少耗電量和增加頻寬所帶來(lái)的便利。奇夢(mèng)達全力地支持客戶(hù)推出下一代的行動(dòng)運算應用產(chǎn)品,預計內建奇夢(mèng)達DDR3的筆記型計算機將于2008年上半年上市。”
1GB 和2GB的SO-DIMM模塊由奇夢(mèng)達以75納米工藝所生產(chǎn)的1Gbit DDR3零組件所組成,提供明顯的省電效果,因為DDR3僅需1.5伏特的電力供給,而DDR2則是1.8伏特。根據SO-DIMM容量的不同,奇夢(mèng)達的DDR3 SO-DIMMs與現今主流的DDR2模塊相比,可以節省30%到50%的耗電量。
奇夢(mèng)達的DDR3 SDRAM裝置提供1.600 Mb/s的數據傳輸率,是現今DDR2內存最大傳輸率的兩倍,并且也可以顯著(zhù)提升個(gè)人計算機、行動(dòng)運算裝置和服務(wù)器效能。
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