KLA-Tencor推出達到關(guān)鍵性45nm晶片幾何度量要求的完整度量解決方案

　　KLA-Tencor 公司推出了 WaferSight 2，這是半導體行業(yè)中第一個(gè)讓晶片供應商和芯片制造商能夠以 45nm 及更小尺寸所要求的高精度和工具匹配度，在單一系統中度量裸晶片平面度、形狀、卷邊及納米形貌的度量系統。憑借業(yè)界領(lǐng)先的平面度和納米形貌測量精度，加之更高的工具到工具匹配度，WaferSight 2 讓晶片供應商能夠率先生產(chǎn)下一代晶片，并讓集成電路 (IC) 制造商對未來(lái)晶片質(zhì)量的控制能力更具信心。

　　領(lǐng)先的光刻系統供應商的研究表明，在 45nm 工藝中，晶片平面度的細微差異會(huì )消耗高達 50% 的關(guān)鍵光刻焦深預算。在 KLA-Tencor 公司 WaferSight 1 系統占據市場(chǎng)領(lǐng)先地位的基礎上，WaferSight 2 系統能夠實(shí)現更嚴格的裸晶片平面度規格，并幫助芯片制造商戰勝焦深挑戰，其快速精確的新一代 45nm 平面度測量功能將讓晶片制造商和集成電路公司雙雙獲益。

　　KLA-Tencor 的成長(cháng)與新興市場(chǎng)副總裁 Jeff Donnelly 表示：“在 45nm 及更小尺寸級別，晶片平面度、形狀及表面形貌的差異對制程區段、光刻優(yōu)率及其它制造工藝的影

　　響更大。與先前的 ADE Wafersight 1 相比，新型 WaferSight 2 系統具備更佳的光學(xué)與測量隔離，可實(shí)現更高的分辨率、匹配率和精確度，不僅能幫助晶片制造商大幅提升其制造規格，以滿(mǎn)足 45nm 的要求，還能讓芯片制造商測量將要使用的晶片，以確保生產(chǎn)的工藝質(zhì)量。同時(shí)，這套系統的產(chǎn)能可降低運營(yíng)成本，并提高效率?！?/P>

　　納米形貌控制已成為 45nm 節點(diǎn)的關(guān)鍵，因為它是化學(xué)機械研磨 (CMP) 中縮小制程極限的根本，且會(huì )引起光刻中的微距量測 (CD) 差異。新型 WaferSight 2 具備業(yè)界領(lǐng)先的納米形貌測量性能和更高精度，并且是第一個(gè)以單一非破壞性測量方式進(jìn)行前后兩面納米形貌測量的系統。

　　WaferSight 2 將平面度和納米形貌測量合并在一個(gè)系統上，與多工具解決方案相比，可縮短周期時(shí)間，減少在制品 (WIP) 的排隊與移動(dòng)時(shí)間，縮小所占空間，并提高設施的使用效率。WaferSight 2 還可與 KLA-Tencor 的數據管理系統 FabVision® 無(wú)縫結合，形成一套可離線(xiàn)分析存檔數據或當前度量數據的完整解決方案，并可提供完全自定義的圖表和報告。

　　WaferSight 2 測試現場(chǎng)合作伙伴 Soitec 公司的 SOI 產(chǎn)品平臺副總裁 Christophe Maleville 表示：“我們對 WaferSight 2 系統的評估表明，這套工具的所有測量模式在同類(lèi)產(chǎn)品中均具備領(lǐng)先性能，可提供卓越的長(cháng)期重復能力與測量穩定性。Wafersight 2 系統的先進(jìn)性能使其適合于新一代 45nm 生產(chǎn)，且在評估測試階段和實(shí)際生產(chǎn)中，均表現出極佳的穩定性。WaferSight 2 度量系統已被接受用于硅和 SOI 生產(chǎn)，且將成為 Soitec 以后晶片幾何度量的一個(gè)關(guān)鍵系統?！?/P>

　　關(guān)于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導體制造及相關(guān)行業(yè)提供產(chǎn)能管理和制程控制解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)。該公司總部設在美國加州的圣何塞市，銷(xiāo)售及服務(wù)網(wǎng)絡(luò )遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標準普爾 500 強公司之一，并在納斯達克全球精選市場(chǎng)上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關(guān)該公司的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn) http://www.kla-tencor.com。

　　WaferSight 2 技術(shù)概要

　　集成電路 (IC) 制程中的平面度、卷邊和納米形貌測量的重要性

　　平面度

　　在 45nm 節點(diǎn)，先進(jìn)的光刻光學(xué)技術(shù)可將焦深縮小到 100~150nm。更小的焦深對晶片上平面度變化的容差要求更為嚴格，因此，對于每個(gè)更小的技術(shù)節點(diǎn)，必須更嚴格地控制晶片平面度與形狀參數。WaferSight 2 可以勝任 45nm 生產(chǎn)，因為它具備次納米級平面度測量精度，且其工具到工具匹配度比 WaferSight 1 提高了 200%。此業(yè)界領(lǐng)先性能可幫助晶片制造商提高優(yōu)率，并幫助芯片制造商降低對所要使用晶片的不確定性與風(fēng)險。

　　卷邊

　　晶片鄰近邊緣區域(定義為從邊緣開(kāi)始 1mm 至 5mm 的范圍內)的幾何一致性是制造過(guò)程中的一個(gè)新挑戰，這是因為，與晶片的中心相比，鄰近邊緣區域存在各種加工差異。由此產(chǎn)生的形狀或厚度差異稱(chēng)為卷邊 (ERO)。卷邊會(huì )嚴重影響在最外層區域的光刻焦點(diǎn)控制及該區域的化學(xué)機械研磨 (CMP) 一致性。

　　WaferSight 2 的 ERO 測量可提供所需的準確數據，有助于控制晶片邊緣區域的卷邊效應，并提高晶粒優(yōu)率。使用 WaferSight 2 可對角度 ERO 差異進(jìn)行定量分析，晶片供應商之間，以及晶片和晶片內部之間的差異在 ERO 數據中一目了然。這種 ERO 差異會(huì )影響 CMP 中邊緣覆膜厚度的一致性，因此，控制晶片 ERO 成為實(shí)現預期 CMP 性能的關(guān)鍵。

　　納米形貌

　　納米形貌是晶片上的納米級高度差異，它通過(guò)測量大約 2mm 至 10mm 的區域得出。國際半導體技術(shù)藍圖 (ITRS) 指出，從峰頂到谷底的納米形貌可能僅有幾納米，因此納米形貌的精度會(huì )受到測量系統上卡盤(pán)效應的影響。WaferSight 2 使用全邊緣卡夾的晶片操作系統，在其獲取平面度和卷邊數據的相同掃描中，會(huì )捕捉來(lái)自晶片前后兩面的無(wú)偽差納米形貌數據，從而消除了卡盤(pán)效應。