富士通和愛(ài)普生宣布開(kāi)發(fā)非易失存儲器技術(shù)

　　富士通公司和精工愛(ài)普生公司近日宣布，雙方已簽署協(xié)議將聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鐵電隨機存儲器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)非易失存儲器技術(shù)。

　　根據協(xié)議，雙方計劃研制一種高集成度的下一代FRAM，其組件面積將只有目前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的常規FRAM的1/6， 研發(fā)計劃預計將于2006年上半年完成。同時(shí)，富士通和愛(ài)普生還計劃開(kāi)發(fā)一種存儲器核心處理技術(shù)，其特點(diǎn)是對于可執行的讀寫(xiě)周期的限制達到了最小。

　　近年來(lái)，便攜式信息設備和智能家用電器都變得越來(lái)越先進(jìn)，導致FRAM非易失存儲器的需求量迅速攀升，因為這種存儲器能夠滿(mǎn)足一系列非常廣泛的市場(chǎng)需求，例如，與閃存和電可擦除只讀存儲器(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory, EEPROM)4 相比，這種存儲器具有低能耗、快速讀寫(xiě)的特點(diǎn)。 除了只讀存儲器(ROM)所具有的功能外，FRAM還具有非易失隨機存儲器(RAM)的功能，因此能夠成為目前市場(chǎng)上的最佳存儲設備之一，并成為系統大規模集成電路(LSIs)的理想存儲器解決方案。

　　富士通和愛(ài)普生計劃通過(guò)聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代FRAM技術(shù)，將彼此的重要技術(shù)(如FRAM材料和微型化制程)結合起來(lái)，以此來(lái)達到縮短開(kāi)發(fā)周期的目的。