三星現代偏重閃存生產(chǎn)內存迎來(lái)缺貨漲價(jià)期

    DRAM制造業(yè)巨頭調換產(chǎn)能搶攻NAND型閃存市場(chǎng)的效應正在快速擴散，那就是內存芯片正面臨缺貨危機。三星、Hynix以及我國臺灣的力晶紛紛實(shí)施或宣布了將產(chǎn)能轉調入閃存生產(chǎn)的消息后，內存模塊制造商即將進(jìn)入長(cháng)達數個(gè)月的供貨“枯水期”。 

    內存模塊制造業(yè)人士稱(chēng)，原本DRAM芯片供貨量?jì)H受三星轉換產(chǎn)能影響，還沒(méi)有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉換產(chǎn)能生產(chǎn)閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉換產(chǎn)能的沖擊下，DRAM芯片供貨量大減。三星還決定從7月起，對下游DRAM模塊制造商全面采取強制配貨行動(dòng)，保證DRAM芯片貨源均優(yōu)先供應跨國的大型電腦制造商。 

    事實(shí)上，三星從2005年第一季度末逐月增產(chǎn)NAND型閃存后，6月起DRAM供貨量減少的不良效應就已開(kāi)始擴散，不過(guò)，由于6月僅有三星轉移產(chǎn)能，因此6月DRAM芯片平均合約報價(jià)與之前持平或僅有微幅增長(cháng)。 

    不過(guò)，從7月起Hynix也轉換產(chǎn)能增產(chǎn)閃存后，預計DRAM市場(chǎng)供貨量將持續降低，并使得DRAM顆粒合約價(jià)將很有可能在7月前半個(gè)月漲價(jià)約5%～10%。值得注意的是，8月起力晶增加對瑞薩（Renesas）AG-AND型閃存代工的轉產(chǎn)效應也將起到火上澆油的效果，屆時(shí)可能造成DRAM市場(chǎng)供貨來(lái)源“三缺”效應同時(shí)發(fā)生。 

    更重要的是，大型電腦制造商們對DRAM的需求從6月起就已逐步增加，由于7月IT市場(chǎng)將進(jìn)入傳統上的旺季，加上DRAM制造商只優(yōu)先向大型電腦制造商提供DRAM芯片，因此DRAM模塊制造商們未來(lái)恐將面臨長(cháng)達數個(gè)月的DRAM芯片供貨“枯水期”，目前各家DRAM模塊制造商們只能自行尋找DRAM貨源，預計我國臺灣的一些DRAM芯片制造廠(chǎng)可望因此得利。