三星走出DRAM市場(chǎng)低谷下半年需求有望增長(cháng)

    全球最大記憶體晶片供應商南韓三星電子(Samsung Electronics)副總裁Woosik Chu表示，三星已走出DRAM事業(yè)谷底，在目前DRAM均價(jià)穩定、下半年需求揚升之際，三星經(jīng)過(guò)第二季(Q2)DRAM毛利率落底之后，預期2005年下半DRAM毛利率不會(huì )再向下跌。

　　財報資料顯示，三星Q1半導體事業(yè)群營(yíng)運毛利率31%，分析師普遍預期Q2毛利率將受到進(jìn)一步侵蝕，預期Q3毛利率會(huì )有所改善。

　　盡管三星對于下半年DRAM市場(chǎng)樂(lè )觀(guān)以待，但Chu表示，三星下半年NAND型快閃記憶體(Flash)事業(yè)，則將面臨毛利受到壓縮的影響。不過(guò)，Chu明確指出，三星為了刺激市場(chǎng)需求所采行的降價(jià)行動(dòng)，本質(zhì)上其實(shí)是擴充高容量NAND型Flash市場(chǎng)策略之一，盡管三星在毛利率上有所妥協(xié)，但整體而言，三星仍將受惠于全球NAND型Flash市場(chǎng)高成長(cháng)態(tài)勢。

　　三星對于下半年NAND型Flash市場(chǎng)需求充滿(mǎn)信心，Chu認為，事實(shí)上，目前業(yè)者開(kāi)出的產(chǎn)能僅能滿(mǎn)足全球NAND型 Flash市場(chǎng)7成的需求，三星尋求以年度均價(jià)降幅40%的水準，擴充高容量2Gb與4Gb產(chǎn)品市場(chǎng)。

　　市調機構iSuppli分析師Nam Hyung Kim指出，三星占有全球NAND型 Flash市場(chǎng)近6成比重，一定范圍內具有支配均價(jià)的優(yōu)勢，積極的價(jià)格戰更是三星對后進(jìn)業(yè)者立下的進(jìn)入障礙。

　　不過(guò)，美林證券(Merrill Lynch)甫于日前公布的最新報告則認為，NAND型 Flash均價(jià)下滑的速度，遠較業(yè)者降低成本的速度來(lái)得快，原先不尋常的高毛利時(shí)代已然告終，在產(chǎn)能過(guò)剩之下，NAND 型Flash的獲利已彌補不了DRAM的缺口。

　　然而，JP Morgan分析師J.J. Park則認為NAND型 Flash市場(chǎng)需求被低估，Park認為，在所有半導體產(chǎn)品中，NAND型Flash具有最高的價(jià)格彈性，產(chǎn)品均價(jià)的下跌均能完全轉化為更多的百萬(wàn)位元(megabyte)消耗量，達到刺激市場(chǎng)需求目標。  

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