全球NAND Flash供貨將拉警報

　　NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進(jìn)50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash將暫不供應下游客戶(hù)端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產(chǎn)能加速轉進(jìn)至50nm主流制程，加上為供應蘋(píng)果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，亦無(wú)力滿(mǎn)足下游客戶(hù)訂單需求，因此，業(yè)界紛預期2007年下半全球NAND Flash市場(chǎng)將出現嚴重供不應求。
　　內存業(yè)者表示，根據來(lái)自英特爾消息指出，由于英特爾及美光(Micron)所合組IM Flash在78nm制程技術(shù)上，其生產(chǎn)成本競爭力上無(wú)法與三星電子、東芝(Toshiba)及海力士等競爭者相抗衡，因此，決定現有采用78nm制程所生產(chǎn)NAND Flash，暫時(shí)停止賣(mài)到下游客戶(hù)，僅供應英特爾或美光內部自行使用。

　　事實(shí)上，IM Flash為能趕上競爭對手，近期已積極調撥產(chǎn)能搶進(jìn)50nm制程，希望未來(lái)能藉由50nm制程，得以與三星、東芝及海力士平起平坐，不過(guò)，值此新制程轉換之際，亦將造成NAND Flash市場(chǎng)在短期內將失去許多來(lái)自IM Flash的供應量。

　　至于三星及海力士同樣面臨產(chǎn)能調撥、造成供給量不足問(wèn)題，內存業(yè)者指出，三星及海力士為能在未來(lái)NAND Flash市場(chǎng)更具有競爭優(yōu)勢，近期均調撥相當多產(chǎn)能至50nm制程，但截至目前采用50nm制程良率仍不佳，使得產(chǎn)出量未如預期，加上為滿(mǎn)足蘋(píng)果下半年NAND Flash訂單龐大需求，必須保留部分70nm制程產(chǎn)能，在產(chǎn)能兩頭燒情況下，更使得NAND Flash供應量出現明顯不足。

　　此外，由于蘋(píng)果即將推出iPhone及高階iPod，NAND Flash市場(chǎng)需求大增，國際NAND Flash大廠(chǎng)紛展開(kāi)先進(jìn)制程競賽，導入50nm制程世代，但因制程轉換造成出貨量不足，加上自第3季起進(jìn)入消費性電子傳統旺季，包括MP3播放器、快閃記憶卡、隨身碟等買(mǎi)氣紛上揚，在市場(chǎng)需求增溫、供應端卻出問(wèn)題情況下，NAND Flash供需落差遂更加嚴重。

　　內存業(yè)者表示，蘋(píng)果在下半年需求最多的NAND Flash為容量4Gb產(chǎn)品，而采用70nm制程投產(chǎn)4Gb產(chǎn)品最符合經(jīng)濟效益，因此，三星及海力士等大型NAND Flash制造商，仍必須將適當產(chǎn)能保留在70nm制程，但這亦造成整體NAND Flash供應量明顯降低。整體而言，進(jìn)入2007年下半后，全球NAND Flash市場(chǎng)出現嚴重供不應求恐將難免。