應用材料公司推出Centura Carina Etch系統克服高K介電常數

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運用創(chuàng )新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節點(diǎn)上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無(wú)二的表現，它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒(méi)有任何副產(chǎn)品殘留物。

應用材料公司資深副總裁、硅系統業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示：“這是第一套專(zhuān)門(mén)為應對HK/MG產(chǎn)品的挑戰而設計的刻蝕系統。我們的客戶(hù)對Carina系統帶來(lái)的新技術(shù)都很感興趣，全球多個(gè)領(lǐng)先的邏輯和存儲半導體制造廠(chǎng)商已經(jīng)安裝了這套系統?！?

這套系統高性能的關(guān)鍵之處在于其擁有知識產(chǎn)權的高溫陰極。高溫工藝可以提供平坦垂直的輪廓，不會(huì )產(chǎn)生傳統溫度工藝下帶來(lái)困擾的高K介質(zhì)材料殘留和硅材料凹陷。此外，高溫防止了被刻蝕的材料再次沉積到硅片上，也無(wú)需采用復雜的濕/干組合工藝去除殘余物。先進(jìn)的反應腔材料能提供長(cháng)期的工藝穩定性和所有可用的先進(jìn)柵極刻蝕系統中最低的耗材成本。