刻蝕文章進(jìn)入刻蝕技術(shù)社區

國內首家掌握干法刻蝕的民營(yíng)企業(yè) 寶豐堂攻克“造芯”重要一環(huán)

摘要: 　　發(fā)展數字經(jīng)濟需要海量芯片支持，芯片制作需要半導體產(chǎn)業(yè)全力協(xié)同。受美國禁令影響，目前全球“缺芯”問(wèn)題持續發(fā)酵，解決半導體生產(chǎn)設備“卡脖子”刻不容緩。　　作為登上廣東“專(zhuān)精特新”新品發(fā)布會(huì )(以下簡(jiǎn)稱(chēng) ...　　發(fā)展數字經(jīng)濟需要海量芯片支持，芯片制作需要半導體產(chǎn)業(yè)全力協(xié)同。受美國禁令影響，目前全球“缺芯”問(wèn)題持續發(fā)酵，解決半導體生產(chǎn)設備“卡脖子”刻不容緩?！　∽鳛榈巧蠌V東“專(zhuān)精特新”新品發(fā)布會(huì )(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“新品發(fā)布會(huì )”)首場(chǎng)發(fā)布會(huì )的20家企業(yè)之一，珠海寶豐堂電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“寶豐堂”)靠著(zhù)
關(guān)鍵字：刻蝕等離子

中國上海，2018年3月13日電——中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲芯片和邏輯芯片的前道工序。該設備采用了中微具有自主知識產(chǎn)權的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng )新的功能，以幫助客戶(hù)達到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準度、均勻性和重復性等。其創(chuàng )新的設計包括：完全對稱(chēng)的反應腔，超高的分子泵抽速；獨特的低電容耦合線(xiàn)圈設計和多區細分溫控靜電吸盤(pán)（E
關(guān)鍵字：中微半導體刻蝕

應用將持續驅動(dòng)芯片業(yè)的發(fā)展。摩爾定律將繼續演進(jìn)，但形式正發(fā)生變化，從注重特征尺寸的縮小，正轉變到同時(shí)關(guān)注材料和結構創(chuàng )新。預計中國半導體市場(chǎng)10年內翻番，將帶來(lái)半導體制造的興盛。為了迎接10nm以下的挑戰，應用材料公司近期推出了三款新產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：晶圓材料工程設備刻蝕電子束 201612

今年IC China(一年一度在上海舉辦的業(yè)內知名半導體展會(huì )和論壇)展會(huì )期間，先進(jìn)的設備制造商 -- 中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”)，將于本周三在上海世博展覽館，就其設計創(chuàng )新、技術(shù)領(lǐng)先的新一代刻蝕設備產(chǎn)品舉辦新聞發(fā)布會(huì )。
關(guān)鍵字：中微公司刻蝕

　　Schmid集團的選擇性發(fā)射極技術(shù)通過(guò)自身出色的運行情況證明其為市場(chǎng)上最有效的工藝技術(shù)。在競爭更高效率的戰爭中，更多的電池生產(chǎn)商依賴(lài)于濕化學(xué)工藝;由Schmid濕法機器訂單越來(lái)越多可見(jiàn)一斑。無(wú)論是擴展生產(chǎn)線(xiàn)還是升級現有生產(chǎn)線(xiàn)，Schmid的選擇性發(fā)射極技術(shù)繼續其成功之道。Schmid選擇性發(fā)射極刻蝕機最新訂單是八月中旬，來(lái)自一家中國的主要生產(chǎn)商。　　
關(guān)鍵字： Schmid 刻蝕

　　“工欲善其事，必先利其器。”集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展離不開(kāi)裝備制造業(yè)的支撐，而裝備業(yè)的發(fā)展水平也是衡量一個(gè)國家集成電路產(chǎn)業(yè)總體水平的重要標準。近年來(lái)，我國集成電路裝備業(yè)取得了長(cháng)足的進(jìn)步，12英寸設備在多個(gè)工序實(shí)現國產(chǎn)化。但由于8英寸、12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)在我國仍有很大的發(fā)展空間，這也給國外的二手設備提供了用武之地，同時(shí)，也給從事設備翻新的企業(yè)提供了發(fā)展機遇。　　12英寸國產(chǎn)設備進(jìn)展顯著(zhù) 　　●多種核心裝備實(shí)現國產(chǎn)化　　●12英寸65納米是下階段重點(diǎn) 　　一條標準的集成電
關(guān)鍵字：半導體設備芯片制造光刻刻蝕

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進(jìn)晶體管的刻蝕。運用創(chuàng )新的高溫技術(shù)，它能提供45納米及更小技術(shù)節點(diǎn)上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產(chǎn)的解決方案。應用材料公司的Carina技術(shù)具有獨一無(wú)二的表現，它能達到毫不妥協(xié)的關(guān)鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時(shí)沒(méi)有任何副產(chǎn)品殘留物。應用材料公司資深副總裁、硅系統業(yè)務(wù)
關(guān)鍵字：測試測量應用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

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