海力士半導體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術(shù)授權

海力士已經(jīng)同意在其動(dòng)態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來(lái)替代多個(gè)晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來(lái)，基本DRAM位單元實(shí)現了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場(chǎng)的機會(huì )。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當大的工程資源共同開(kāi)發(fā)該項目。 

     Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內存技術(shù)而應用于邏輯芯片，如移動(dòng)芯片組、微處理器、 網(wǎng)絡(luò )和其他消費應用。2005年12月AMD首次獲得該項技術(shù)授權，將這項技術(shù)應用于微處理器設計。目前此次與Hynix的合作，使Z-RAM成為超過(guò)300億美元的存儲器市場(chǎng)中成本最低的存儲器技術(shù)。 

     “ Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研發(fā)部副總裁Sung-Joo Hong說(shuō)?！耙?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/ISi">ISi的 Z-R  
AM創(chuàng )新為基礎，我們看到了開(kāi)創(chuàng )全新產(chǎn)品平臺的潛力，這將幫助我們繼續保持和擴展在存儲器市場(chǎng)中所處的領(lǐng)先地位?！?nbsp;

     “ 海力士決定與ISi的合作是對我們Z-RAM存儲技術(shù)的實(shí)力和商業(yè)效益的進(jìn)一步肯定，尤其是海力士是存儲器芯片市場(chǎng)的主導者，它的產(chǎn)品被廣泛應用于多種電子設備中，如個(gè)人電腦、服務(wù)器、工作站、顯卡以及手持設備，如手機、MP3播放器和數碼相機等，”ISi首席執行官Mark-Eric Jones說(shuō)?！安捎肐Si的Z-RAM技術(shù)制成的存儲器芯片尺寸更小，成本更低。我們期待著(zhù)與海力士在下一代DRAM芯片中的合作，從而為最終用戶(hù)帶來(lái)極大的性能和可用性方面的優(yōu)勢?！?nbsp;

     ISi營(yíng)銷(xiāo)副總裁Jeff Lewis說(shuō)：“我們相信這是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM將對DRAM的設計和制造產(chǎn)生深遠影響。由于2006年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷(xiāo)售超過(guò)330億美元，這樣的發(fā)展將顯著(zhù)地影響到整個(gè)電子行業(yè)?！?nbsp;

     ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM（靜態(tài)存儲器）方案不同，因為其單晶體管(1T)位單元結構是全球最小的存儲單元，這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導體存儲方案。通過(guò)采用絕緣體上硅結構(SOI)晶圓，Z-RAM的單晶體管存儲位單元可利用電路制造中發(fā)現的浮體效應(FBE）而變成現實(shí)。此外，因為Z-RAM是利用了SOI自然產(chǎn)生的效應，在存儲位單元內無(wú)須通過(guò)改變外在工藝來(lái)構建電容或其它復雜結構。