飛兆半導體推出7款MLP封裝MicroFET產(chǎn)品

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET™產(chǎn)品，為面向30V 和20V以下低功耗應用業(yè)界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產(chǎn)品在單一器件中結合飛兆半導體先進(jìn)的PowerTrench®和封裝技術(shù)，比較傳統的MOSFET在性能和空間方面帶來(lái)更多優(yōu)勢。例如，它們采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑無(wú)腳封裝(MLP)，較之于低壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封裝MOSFET體積減小55% 及高度降低20%。相比SC-70封裝的傳統MOSFET，這些新產(chǎn)品更具有出色的功耗和傳導損耗特性。全新MicroFET器件兼具緊湊封裝和高性能特性，成為電池充電、負載開(kāi)關(guān)、升壓與直流/直流轉換，以及其它眾多低功耗、空間受限功率管理應用的理想選擇。

　　飛兆半導體通信產(chǎn)品市務(wù)總監Chris Winkler 表示：“飛兆半導體的MicroFET產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，能夠滿(mǎn)足超緊湊、超薄低高度的便攜式應用設備不斷提升的熱性能需求。通過(guò)推出7款采用最先進(jìn)封裝技術(shù)的器件，飛兆半導體為工程師提供了更為廣泛的MicroFET產(chǎn)品選擇，能提高其低壓應用的熱性能和電氣性能，并同時(shí)節省線(xiàn)路板空間?！?/P>

　　在這些新MicroFET產(chǎn)品中，FDMA1023PZ、FDMA520PZ、FDMA530PZ 和 FDMA1025P分別具備不同的配置，集成了單及雙P溝道PowerTrench MOSFET與ESD保護齊納二極管。為了獲得額外的系統性能，FDMA1023PZ更可保證以低至1.5V的柵極電壓 (VGS) 提供低額定導通阻抗RDS(ON)。這幾款器件尤其適合充電和負載開(kāi)關(guān)應用。

　　另外三款產(chǎn)品集成了N或 P溝道MOSFET和肖特基二極管。當中，FDFMA2P029Z 和 FDFMA2P857集成了P溝道MOSFET和肖特基二極管，并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (VF) 和反向泄漏電流 (IR)，能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關(guān)重要的充電應用。第三款器件FDFMA2N028Z采用N溝道MOSFET和肖特基二極管組合，這種配置非常適合于升壓應用。

　　這些產(chǎn)品采用無(wú)鉛封裝，能夠滿(mǎn)足甚至超越ICP/JEDEC的J-STD-020C標準要求，并符合現已生效的歐盟標準。