IDT推出最新先進(jìn)存儲器緩沖器(AMB) 樣品

　　IDT公司今天宣布推出最新先進(jìn)存儲器緩沖器(AMB) 樣品，服務(wù)于多種全緩沖雙插線(xiàn)存儲器模塊（FB-DIMM）的生產(chǎn)商。這個(gè)新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標準，是下一代高帶寬應用產(chǎn)品的必備技術(shù)，比如服務(wù)器和工作站，這些設備都要求更高的性能和大型的存儲容量。

　　FB-DIMM信道架構的一個(gè)關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲控制器和模塊之間實(shí)現高速度、串行、點(diǎn)對點(diǎn)的連接。每個(gè)FB-DIMM上的AMB芯片負責收集和分配來(lái)自DIMM 的數據，在芯片上進(jìn)行內部數據緩沖，并將數據轉發(fā)至下一個(gè)DIMM或者存儲控制器。這種獨特的信道結構減少了在帶寄存器的DIMM技術(shù)中很常見(jiàn)的緩沖時(shí)延問(wèn)題，能夠使設計人員在單一的系統中應用大量的DIMM。