宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實(shí)現大電流承載能力的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（eGaN FET）系列

　　宜普電源轉換公司宣布推出3個(gè)采用具有更寬間距連接的布局的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN FET)。這些產(chǎn)品采用具有1 mm間距的焊球，進(jìn)一步擴大EPC的“寬間距”器件系列。更寬闊的間距可在器件的底部放置額外及較大的通孔，使得器件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實(shí)現大電流承載能力。

　　與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，這些全新晶體管的尺寸小很多及其開(kāi)關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動(dòng)器及D類(lèi)音頻放大器等應用的理想器件。