集成電路：產(chǎn)業(yè)整合加快 企業(yè)實(shí)力倍增

　　2014年，全球集成電路產(chǎn)業(yè)開(kāi)始步入平穩發(fā)展階段，產(chǎn)業(yè)結構調整步伐加速，IC設計業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現異軍突起之勢。展望2015年，我國集成電路產(chǎn)業(yè)規模將持續增大，產(chǎn)業(yè)結構日趨合理;技術(shù)水平持續提升，與國際差距逐步縮小;國內企業(yè)實(shí)力倍增，有望洗牌全球格局;政策環(huán)境日趨向好，基金引領(lǐng)投資熱潮。

　　全球市場(chǎng)規模擴大

　　中國產(chǎn)業(yè)規?？焖僭鲩L(cháng)

　　根據全球半導體貿易協(xié)會(huì )統計(WSTS)，2014年全球半導體市場(chǎng)規模達到3331億美元，同比增長(cháng)9%，為近4年增速之最。伴隨著(zhù)行業(yè)集中度越來(lái)越高，行業(yè)發(fā)展也逐步結束過(guò)去高增長(cháng)和周期性波動(dòng)的發(fā)展局面，開(kāi)始步入平穩發(fā)展階段。

　　從產(chǎn)業(yè)鏈結構看，制造業(yè)、IC設計業(yè)、封裝和測試業(yè)分別占全球半導體產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)業(yè)收入的50%、27%和23%。從產(chǎn)品結構看，模擬芯片、處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片2014年的銷(xiāo)售額分別為442.1億美元、622.1億美元、859.3億美元和786.1億美元，分別占全球集成電路市場(chǎng)份額的16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。

　　據中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )統計，2014年我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入達3015.4億元，同比增長(cháng)20.2%，增速較2013年提高4個(gè)百分點(diǎn)。產(chǎn)業(yè)規模繼續保持快速增長(cháng)，各季度增速呈現前緩后高的態(tài)勢。

　　從產(chǎn)業(yè)鏈結構看，2014年我國集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節均呈現增長(cháng)態(tài)勢。其中，設計業(yè)增速最快，銷(xiāo)售額為1047.4億元，同比增長(cháng)29.5%;芯片制造業(yè)銷(xiāo)售額為712.1億元，同比增長(cháng)18.5%;封裝測試業(yè)銷(xiāo)售額為1255.9億元，同比增長(cháng)14.3%。IC設計業(yè)的快速發(fā)展導致國內芯片代工與封裝測試產(chǎn)能普遍吃緊。從市場(chǎng)結構看，通信和消費電子是我國集成電路最主要的應用市場(chǎng)，二者合計共占整體市場(chǎng)的48.9%，其中網(wǎng)絡(luò )通信領(lǐng)域依然是2014年引領(lǐng)中國集成電路市場(chǎng)增長(cháng)的主要動(dòng)力。全球計算機產(chǎn)銷(xiāo)量的下滑直接導致中國計算機領(lǐng)域集成電路市場(chǎng)的增速放緩，2014年計算機類(lèi)集成電路市場(chǎng)份額進(jìn)一步下滑，同比下滑達13.28%。

　　14nm工藝芯片正式進(jìn)入市場(chǎng)

　　3D-NAND存儲技術(shù)走向商用

　　2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)重要創(chuàng )新的三大進(jìn)展如下：一是14nm FinFET工藝芯片正式進(jìn)入市場(chǎng)。14nm工藝節點(diǎn)被業(yè)界普遍視為集成電路制造的工藝拐點(diǎn)。在實(shí)現14nm工藝的技術(shù)進(jìn)程中，目前主要包括兩條技術(shù)路線(xiàn)。一種是由英特爾公司在22nm制程中就開(kāi)始采用的FinFET結構三柵晶體管技術(shù)，另一種是由IBM和意法半導體等公司在22nm制程節點(diǎn)中采用的FD-SOI全耗盡技術(shù)。

　　二是3D-NAND存儲技術(shù)走向商用。2014年10月，三星公司宣布開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的3bit MLC 3D V-NAND閃存。3D V-NAND技術(shù)的優(yōu)勢在于不僅可以提升芯片的存儲密度和寫(xiě)入速度，還可以降低芯片的功耗。截至2014年12月，全球已經(jīng)有4家存儲器生產(chǎn)企業(yè)推出自己的3D-NAND發(fā)展路線(xiàn)圖?？傮w來(lái)看，該技術(shù)有望在2016年全面走向市場(chǎng)，并替代傳統NAND閃存。

　　三是可穿戴市場(chǎng)推動(dòng)無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)走向成熟。移動(dòng)智能終端用戶(hù)對于電池續航能力的要求不斷提升，促使芯片設計企業(yè)開(kāi)始布局新的電源供應技術(shù)，其中無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)已經(jīng)成為業(yè)界“搶攻”的重點(diǎn)。截至2014年年底，已有包括博通、艾迪特(IDT)、德州儀器(TI)、聯(lián)發(fā)科、安森美等在內的多家芯片廠(chǎng)商積極瞄準可穿戴式設備市場(chǎng)推出無(wú)線(xiàn)充電解決方案，并針對周邊的電源管理平臺發(fā)展策略做出相應變革。

　　2014年，集成電路產(chǎn)業(yè)在以下三個(gè)方面值得引起重視：一是國際芯片巨頭“軍備競賽”日益激烈，我國芯片制造業(yè)面臨國際壓力愈發(fā)增強;二是核心知識產(chǎn)權的缺失，使得4G設備在加速替代過(guò)程中仍將面臨專(zhuān)利的隱患;三是國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的實(shí)施將面臨投資主體選擇、海外并購標的甄別等幾方面的挑戰。