2015年第一季全球DRAM總產(chǎn)值衰退7.5%

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，第一季動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)合約均價(jià)較上季跌幅達11%，加上筆記型電腦市場(chǎng)與智慧型手機步入傳統淡季，因此全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達7.5%，營(yíng)收來(lái)到120億美元。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，受到淡季影響，今年第一季各DRAM廠(chǎng)都呈現營(yíng)收衰退的走勢，但在制程持續轉進(jìn)下，毛利并未大幅縮減，整體表現與第四季相比相差不遠。然而需求面不佳將會(huì )影響后續價(jià)格走勢，因此DRAM廠(chǎng)在制程轉進(jìn)與產(chǎn)品比重分配，將今年值得注意的決勝點(diǎn)。DRAMeXchange預估2015年DRAM產(chǎn)值預計來(lái)到512億美元規模，年成長(cháng)近12%。

　　三星半導體(Samsung)與SK海力士(SK Hynix)第一季自有品牌記憶體市占率各為43%與27%，韓系廠(chǎng)商合計市占穩占全球市場(chǎng)七成;而美系廠(chǎng)商亦掌握將近22.5%，較上季小幅下滑。除非有新競爭者加入，如中國積極發(fā)展自有半導體產(chǎn)業(yè)，寡占結構下短期市占比例將不易改變。

　　從技術(shù)面觀(guān)察，三星甫進(jìn)入20奈米(nm)制程良率即表現穩健，預計年末產(chǎn)出量將逼近60%，仍是DRAM廠(chǎng)中的技術(shù)領(lǐng)先者。SK海力士在25nm制程加持下，營(yíng)收雖然受到價(jià)格下滑而減少，但制程轉進(jìn)所帶來(lái)成本降低，依然讓SK海力士有穩健的獲利。至于美光集團(Micron)則因為不少產(chǎn)出比重還在30nm制程下，20nm制程轉進(jìn)也不如預期，本季營(yíng)收大幅下滑13%。美光如不加速轉進(jìn)20nm，價(jià)格的下跌將會(huì )侵蝕更高比重的獲利。

　　臺系廠(chǎng)商部分，南亞科(Nanya)目前在30nm微縮制程轉進(jìn)速度順利下，預計產(chǎn)出年末將超過(guò)50%，成本下降同時(shí)預計獲利也會(huì )持穩，20nm制程預計明年才有機會(huì )導入量產(chǎn)行列。力晶(PSC)受到標準型記憶體價(jià)格下滑影響，營(yíng)收衰退7.9%，但25nm制程已進(jìn)入試產(chǎn)階段，最快年末可以導入量產(chǎn)。華邦(Winbond)由于無(wú)標準型記憶體產(chǎn)品產(chǎn)出，多以利基型記憶體與行動(dòng)式記憶體為主，加上整體投片量來(lái)到44K滿(mǎn)載，營(yíng)收僅小幅衰退1.3%。(圖1)

　　圖1 2015年第一季全球DRAM廠(chǎng)自有品牌記憶體營(yíng)收排名。(單位：百萬(wàn)美元)

　　圖2 2015年第一季各區域品牌記憶體營(yíng)收市占率。