中國有錢(qián)也玩不來(lái)主流DRAM？
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編者按： 資本公司聯(lián)合收購 ISSI，京東方宣告進(jìn)入 DRAM 市場(chǎng)，中國搶進(jìn) DRAM市場(chǎng)的意圖愈發(fā)明顯，但是大把資金投入是否能得到預期收貨？DRAM市場(chǎng)是有錢(qián)就行嗎？
三星、SanDisk、東芝等先進(jìn)者紛紛轉進(jìn)較具成本優(yōu)勢的 TLC(3bit MLC)，調研機構 DRAMeXchange 預估 2015 年 TLC 產(chǎn)出比重將逐漸攀升，第四季甚至接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出，然從下圖表一可看出，2014 年第四季產(chǎn)業(yè)后進(jìn)的美光與 SK 海力士還未能發(fā)展出 TLC 技術(shù)，此外，三星與海力士每年仍需付出收益的 2~3% 做為技術(shù)授權費用給 SanDisk(圖表二)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/273124.htm
▲圖表一
▲圖表二
存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)日趨復雜，且單一技術(shù)發(fā)展已現瓶頸，如行動(dòng)裝置需求爆發(fā)下，有望取代 eMMC 成為 NAND Flash 的最大應用的 eMCP 技術(shù)，就得結合 DRAM。存儲器也日漸講求解決方案，如何結合系統技術(shù)或軟體商也變得比以往都來(lái)得重要。除了武漢新芯與 Spansion 的合作，武漢新芯與中芯國際也曾找過(guò)臺灣 NOR 大廠(chǎng)旺宏尋求合作，但已遭拒，中國在存儲器產(chǎn)業(yè)上還未有更多合作伙伴現身。
Bernstein 認為，鉅額資金與龐大技術(shù)壁壘，中國走向主流存儲器產(chǎn)業(yè)，發(fā)展高密度存儲器產(chǎn)品并非易事，相反地，在物聯(lián)網(wǎng)裝置蓬勃發(fā)展下，相關(guān)的低密度存儲器應用，可能是中國初進(jìn)存儲器市場(chǎng)較可能的發(fā)展路徑。
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