CISSOID 公司推出 HADES v2

　　CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅動(dòng)器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開(kāi)關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動(dòng)器和致動(dòng)器應用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無(wú)與倫比的耐用性，柵極驅動(dòng)器 HADES® 在嚴酷的環(huán)境下可實(shí)現更高可靠性和更長(cháng)的使用壽命，從而滿(mǎn)足系統設計者對航空、汽車(chē)、工業(yè)、石油和天然氣市場(chǎng)的應用需求。

　　HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫度最高達 225°C 的極端溫度應用中使用，后者適用于溫度不超過(guò) 175°C 但側重點(diǎn)是需要延長(cháng)使用壽命的系統。

　　HADES® v2 柵極驅動(dòng)器包括在隔離式高壓半橋中驅動(dòng)功率開(kāi)關(guān)柵極所需的所有功能。完整的解決方案經(jīng)過(guò)高度集成并采用緊湊封裝，能夠使快速開(kāi)關(guān)碳化硅功率晶體管發(fā)揮所有優(yōu)勢。

　　芯片組采用三個(gè)集成電路：位于一主側的 HADES2P，另一輔側的 HADES2S 及最近推出的四-二極管 ELARA。主側和輔側芯片均采用陶瓷 QFP 32 針腳或塑料 QFP 44 針腳封裝。

　　主側芯片 (HADES2P) 將 0.8 歐姆 - 80V集成開(kāi)關(guān)、可配置非重疊及欠壓鎖定 (UVLO) 故障管理功能嵌入電流型返馳控制器中。還包括一個(gè)四通道隔離信號收發(fā)器 (2 個(gè) Tx 和 2 個(gè) Rx)，用于 PWM 和故障信號從輔側通過(guò)微小脈沖變壓器往來(lái)傳輸。

　　這兩個(gè)輔側芯片 (HADES2S)(一個(gè)用于高位，一個(gè)用于低位)包括一個(gè) 12A 驅動(dòng)器、UVLO、退飽和及超溫保護 (OTP) 故障檢測電路以及一個(gè)雙通道隔離式信號收發(fā)器。

　　還包括一個(gè)評估套件 (EVK-HADES2)，該套件展示置于 HADES v2 柵極驅動(dòng)器上的半橋及兩個(gè) CISSOID 的 NEPTUNE(10A/1200V SiC Mosfet)。該套件包括一個(gè)帶有該半橋及完整文檔的演示板。該演示板的尺寸僅為 60mm x 55mm (2.4” x 2.2”)。HADES® v2 能夠驅動(dòng)更高功率及其他類(lèi)型的開(kāi)關(guān)，包括 IGBT 和傳統 MOSFETS。在不久的將來(lái)預期將支持驅動(dòng) GaN 晶體管。

　　HADES® v2 憑借熱耐用性使得設計師能夠自由地將柵極驅動(dòng)器置于功率晶體管旁，從而最大限度地減少寄生電感并實(shí)現快速切換，同時(shí)降低切換損失。切換損失越低，操作頻率越高，電容器和磁組件的尺寸和重量也顯著(zhù)減少。此外，操作溫度越高，冷卻需求越低，因而系統的尺寸和重量也越小。

　　HADES® v2 芯片組經(jīng)優(yōu)化設計，可最大限度減少有源和無(wú)源組件的數量和尺寸，因而可實(shí)現將其集成在智能功率模塊 (IPM) 內部(當柵極驅動(dòng)器位于功率開(kāi)關(guān)旁)。 HADES®集成到 IPM 中將進(jìn)一步提高轉換器的功率密度，確保在高溫條件下實(shí)現長(cháng)期的可靠運行：在 100 ~ 175°C 應用中實(shí)現非常長(cháng)的使用壽命(幾十年)，或在極端溫度 (175°C~225°C) 應用中運行數千小時(shí)。

　　CISSOID 的首席執行官 Tony Denayer 先生解釋道： “ HADES® v2 是與系統制造商以及來(lái)自各行各業(yè)已采用各種電源轉換器的終端用戶(hù)經(jīng) 3 年精誠合作的結晶：其中包括適用于工業(yè)應用的電機驅動(dòng)器、面向鐵路的輔助轉換器、航空發(fā)電機或 HEV/EV 汽車(chē)電池充電器。我們匯集了參與第一版本 HADESò研發(fā)工作的專(zhuān)家的反饋意見(jiàn)，該 HADESò是第一版本專(zhuān)用于碳化硅 (SiC) 快速開(kāi)關(guān)功率組件的隔離式柵驅動(dòng)器解決方案，是于 2011 年發(fā)布的。

　　HADES® v2 實(shí)現了高度集成，融合了 CISSOID 解決方案在過(guò)去 15 年所展現的耐用性，也反映了系統設計師在性能、功能、可靠性及成本等方面的要求。它不僅適用于惡劣環(huán)境，而且對于環(huán)境溫度不超過(guò) 100°C 但關(guān)鍵因素是壽命和維護成本的大規模、成本敏感的應用，也非常適合。

　　總之，HADES® v2 開(kāi)啟了面向真正高密度功率轉換器的大門(mén)。我們許多客戶(hù)都迫不及待地等著(zhù)它的推出。我們非常自豪地將這款獨一無(wú)二的突破性技術(shù)推上市場(chǎng)。”

　　HADES® v2 數據表可按下列方式從 CISSOID 網(wǎng)站獲?。篽ttp://www.cissoid.com/high-temperature-electronics/ht-standard-products/hades%AE-v2%2c-high-temperature-isolated-gate-driver-for-high-density-power-converters-chipset.html.氣密性陶瓷芯片組可立即交貨。塑料芯片組現可訂購，樣品可于 2015 年 6 月交貨。評估套件現售 (p/n:EVK-TIT2785A-T) 3,300 歐元。