Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結溫為175° C 適合超高功率密度應用

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。

　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過(guò)標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成為可能。該產(chǎn)品系列包括19款新設備，提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm標準封裝和新的TO-Leadless (TO-LL)封裝。這些設備提供廣泛的電壓額定值，包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。

　　Fairchild的ET MOSFET系列將卓越的耐高溫性能、更高的功率密度和更高的可靠性相結合，是用于各種應用比如DC-DC、AC-DC和電機驅動(dòng)的理想選擇，應用范圍包括航空電子設備、微型太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)工具和電信。

　　Fairchild iFET產(chǎn)品系列副總裁Suman Narayan表示：“作為Fairchild整條ET MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)的最新成員，在設計能夠或必須耐受高溫的產(chǎn)品時(shí)，該新系列產(chǎn)品為設計者提供了更大的設計裕量，而無(wú)需依賴(lài)散熱片或其它增加產(chǎn)品成本和復雜性的散熱方法。 這些新設備秉承Fairchild的傳統，為設計者帶來(lái)出色的解決方案，與競爭產(chǎn)品相比大幅增加了設計裕量。”

　　可在175° C下工作的能力使得這些新ET MOSFET特別適合必須在高溫環(huán)境中工作的產(chǎn)品，如太陽(yáng)能和以太網(wǎng)供電(POE)應用。 此外，設備的可靠性大幅提高，對于在惡劣環(huán)境中使用的產(chǎn)品是一大優(yōu)勢，如航空電子設備、鐵路和電動(dòng)工具應用。

　　在超小封裝內提供擴展溫度范圍和更高的功率密度是該系列的主要優(yōu)勢，制造商可獲得更多的產(chǎn)品設計靈活性。 它可以幫助設計者縮小產(chǎn)品尺寸，同時(shí)保持相同的功率輸出，或者在不增加尺寸的條件下提高功率輸出。

　　Fairchild將參加3.16-19在北加州夏洛特舉行的2015年APEC展覽，展位是905。我們的技術(shù)專(zhuān)家將在現場(chǎng)討論和解答關(guān)于擴展溫度(ET)中壓MOSFET的問(wèn)題和其他高能效解決方案。

　　欲了解更多信息或采購該類(lèi)器件，請訪(fǎng)問(wèn)：https://info.fairchildsemi.com/FY15M03-PR-ET_MOSFET-2_MOSFET_Resource_Page.html