IR 推出4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET
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全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò )通信設備、服務(wù)器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/266916.htm
IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專(zhuān)利技術(shù)，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來(lái)一流的功率密度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。
IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅動(dòng)器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時(shí)實(shí)現更高的電流、效率和頻率。隨著(zhù) IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿(mǎn)足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”
IRFH4257D符合工業(yè)級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。
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