IR的電池保護MOSFET系列為移動(dòng)應用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。

　　全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動(dòng)從12 Vgs起，非常適合包含了兩個(gè)串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內提供兩個(gè)采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。

　　IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，提供行業(yè)標準封裝以及適合精密設計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節省電路板空間及系統成本。”

　　所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標準 (MSL1) 及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。

　　規格