2014年度日本前三大半導體廠(chǎng)營(yíng)益率可望升至近7年高點(diǎn)

　　觀(guān)察日本前三大半導體廠(chǎng)2014會(huì )計年度(2014年4月至2015年3月，以下簡(jiǎn)稱(chēng)年度)營(yíng)收預測，東芝(Toshiba)可望與2013年度持平在近1.2兆日圓(約120億美元)水準，瑞薩電子(RenesasElectronics)恐較2013年度衰退31.6%，為7,484億日圓，Sony營(yíng)收則將自2013年度4,700億日圓成長(cháng)至2014年度的5,700億日圓。

　　DIGITIMESResearch觀(guān)察，盡管2014年度日本前三大半導體廠(chǎng)營(yíng)收并非全數較2013年度成長(cháng)，然此3家業(yè)者營(yíng)益率皆可望上揚至2008年度以來(lái)相對高點(diǎn)，此固然與其主力產(chǎn)品NANDFlash、微控制器(MicroControllerUnit;MCU)及CMOS影像感測IC(CMOSImageSensor;CIS)需求增加有關(guān)，然2014年初以來(lái)日圓平均匯率下滑至1美元兌100日圓以上，亦有利日廠(chǎng)提升獲利能力。

　　在企業(yè)動(dòng)向方面，東芝原先預定于2014年夏天完工的日本四日市工廠(chǎng)第5棟Phase2量產(chǎn)垂直堆疊架構BiCSNANDFlash，然正式量產(chǎn)時(shí)間將延后至2016年初，改為優(yōu)先采用15奈米制程生產(chǎn)NANDFlash，至2015年底為止，東芝將持續提升15奈米制程占NANDFlash生產(chǎn)比重。

　　2014年度瑞薩電子已著(zhù)手將其日本設計研發(fā)據點(diǎn)自原先11處縮減至4處，為因應人力需求減少，瑞薩電子計劃2014年12月實(shí)施今年以來(lái)第3次優(yōu)退制度，以持續加強控管成本，朝2016年度營(yíng)益率達10%以上目標邁進(jìn)。

　　另外，Sony原先規劃其2014年度半導體事業(yè)資本支出將與2013年度持平在670億日圓，然已上修至800億日圓，其中500億日圓用于擴充CIS產(chǎn)能，可看出手機帶動(dòng)CIS需求增加。