英特爾中低端手機芯片技術(shù)藍圖,臺積電代工
英特爾雖然將行動(dòng)與通訊事業(yè)群并入PC客戶(hù)端事業(yè)群,但明年仍將加強在行動(dòng)裝置處理器市場(chǎng)的布局,除了擬增加對平板電腦的補貼以維持市占率外,也針對中低階智慧型手機市場(chǎng),力推三款由臺積電獨家代工、內建Atom處理器核心的28奈米SoFIA手機晶片,要從高通及聯(lián)發(fā)科手中搶下市占率。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/266089.htm英特爾行動(dòng)暨通訊事業(yè)群第3季因為給予OEM廠(chǎng)補貼,導致該事業(yè)群?jiǎn)渭緺I(yíng)收僅100萬(wàn)美元,營(yíng)業(yè)虧損則逾10億美元。而英特爾日前宣布將該事業(yè)群并入PC客戶(hù)端事業(yè)群,卻引發(fā)市場(chǎng)誤傳英特爾可能取消補貼。
事實(shí)上,英特爾今年雖是透過(guò)補貼方式擴大平板電腦處理器出貨量,但的確有效拉高市占率,今年全年4,000萬(wàn)臺出貨目標已順利達陣,不僅成為全球最大商用平板電腦處理器供應商,也成為全球第2大平板電腦處理器廠(chǎng)。而英特爾除了今年將擴大補貼,也已更新明年平板處理器技術(shù)藍圖,首款14奈米四核心CherryTrail平臺將在明年問(wèn)世。
英特爾已完成SoFIA手機晶片設計定案,第一款整合3G基頻及雙核心Atom處理器核心的手機晶片SoFIA3G已在第4季推出,明年上半年還會(huì )推出升級成四核心的SoFIA3G-R。同時(shí),英特爾整合4G基頻及四核心Atom處理器核心的SoFIALTE晶片,原本預計2016年才會(huì )推出,但現在將提前在2015年下半年上市。
為了在最快時(shí)間量產(chǎn)及出貨,英特爾SoFIA3G/3G-R/LTE等3款手機晶片,將全數交由臺積電以28奈米制程代工,目前首款SoFIA3G晶片已在臺積電中科廠(chǎng)擴大投片,明年上半年另二款晶片將再擴大下單,這也是臺積電明年上半年28奈米產(chǎn)能維持滿(mǎn)載的重要原因之一。
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