英特爾嗆：技壓晶圓代工廠(chǎng)3.5年

　　英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt在2014年投資人會(huì )議中表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過(guò)去10年的三個(gè)技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠(chǎng)至少3年以上時(shí)間。

　　英特爾上周召開(kāi)2014年投資人會(huì )議(Investor Meeting 2014)，英特爾技術(shù)及制程事業(yè)群總經(jīng)理William Holt表示，英特爾的電晶體制程技術(shù)在過(guò)去10年的三個(gè)技術(shù)世代，均領(lǐng)先晶圓代工廠(chǎng)至少3年以上時(shí)間。

　　英特爾2013年5月進(jìn)行14奈米制程生產(chǎn)，今年第1季良率進(jìn)入成熟穩定階段。

　　William Holt在2014年投資人會(huì )議中表示，2003年以來(lái)，半導體市場(chǎng)經(jīng)歷3次重大的技術(shù)改變，英特爾的制程均遙遙領(lǐng)先臺積電、格羅方德、三星、IBM等晶圓代工廠(chǎng)。

　　William Holt表示，英特爾在2007年中開(kāi)始導入高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，晶圓代工廠(chǎng)是2011年之后才開(kāi)始跨入HKMG制程，晚了英特爾3.5年時(shí)間。再者，英特爾2011年末率先采用3D電晶體22奈米Tri-Gate制程，但晶圓代工廠(chǎng)要等到2015年中之后，才可望量產(chǎn)同屬3D電晶體世代的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)，也就是說(shuō)，在Tri-Gate或FinFET技術(shù)上，晶圓代工廠(chǎng)仍落后英特爾3.5年。

　　英特爾也公布了14奈米電晶體尺寸細節，在電晶體閘極間距(gate pitch)達70奈米、內連結間距(interconnect pitch)僅52奈米，是目前電晶體最小間距的技術(shù)。

　　William Holt表示，由閘極間距乘以金屬間距(metal pitch)邏輯晶片尺寸(logic area scaling)角度，晶圓代工廠(chǎng)的20奈米及16/14奈米屬于同一世代制程，但英特爾14奈米的尺寸更小。以制程微縮的速度，晶圓代工廠(chǎng)要等到2017年進(jìn)入10奈米世代后，尺寸大小才有機會(huì )贏(yíng)過(guò)英特爾的14奈米。