安森美半導體與ICs LLC合作，開(kāi)發(fā)用于軍事及航空應用的抗輻射加固ASIC

　　推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體(ON Semiconductor)與ICs LLC達成授權/開(kāi)發(fā)協(xié)議，將能夠抗輻射的專(zhuān)用集成電路(ASIC)推向市場(chǎng)。通過(guò)這協(xié)議產(chǎn)生的抗輻射加固設計(RHBD) ASIC將基于安森美半導體的ONC110 110納米(nm)工藝，用于ASIC設計及生產(chǎn)。引入RHBD ASIC擴展了公司包含遵從國際武器貿易規章認證(ITAR)、美國國防微電子業(yè)務(wù)處(DMEA)可信供應商認證及DO-254支援的軍事及航空產(chǎn)品陣容。

　　輻射測試已經(jīng)顯示這些ASIC在遭受超過(guò)100 MeVcm2/mg的線(xiàn)性能量轉移(LETs)攻擊時(shí)具備強大的抗單粒子翻轉(SEU)及抗單粒子閉鎖(SEL)性能，而雙端口靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)提供40 MeVcm2/mg的抗雙位翻轉(DBU)性能。此外，還引入了新穎的RHBD觸發(fā)器(flip flop)架構，稱(chēng)作自修復邏輯(SRL)。這SRL觸發(fā)器已經(jīng)顯示出在高達700兆赫茲(MHz)頻率時(shí)抗單粒子效應的強固性。這些新RHBD IC的首要目標將是高可靠性應用，如太空探索、衛星通信及監控、航空、無(wú)人飛行器(UAV)、商用飛機、核能、粒子物理研究及軍事裝備。

　　ICs LLC首席執行官(CEO) Joe Feeley博士說(shuō)：“隨著(zhù)業(yè)界邁向更小半導體工藝結構，減輕輻射效應正成為一個(gè)日益重要的問(wèn)題。用于抗SEU的傳統RHBD方案并沒(méi)有為高速電路提供充足的保護，SRL方案則提供充足保護。安森美半導體是解決這重要問(wèn)題的唯一方案供應商，使客戶(hù)能夠為重要的實(shí)時(shí)應用生產(chǎn)容錯型ASIC。”

　　安森美半導體軍事/航空、數字及定制代工副總裁Vince Hopkin說(shuō)：“得益于與ICs LLC達成的這影響深遠的協(xié)議，安森美半導體能配合我們客戶(hù)的要求，提供擁有更大數量邏輯門(mén)及更小幾何尺寸工藝技術(shù)的ASIC，同時(shí)還針對因暴露在輻射環(huán)境下導致的故障提供充沛保護。結合我們的‘’’可信’供貨源身份及提供高度安全之開(kāi)發(fā)流程能力，增添RHBD于產(chǎn)品陣容表示我們處在極有利的位置，能夠服務(wù)多種多樣的航空、軍事及太空項目，而這些項目中非常講究數據及知識產(chǎn)權(IP)的完整性。”

　　在新浪微博上關(guān)注@安森美半導體：www.weibo.com/onsemiconductor