美光科技將在日本增產(chǎn)智能手機存儲器

　　美國半導體企業(yè)美光科技(Micron Technology)將增產(chǎn)用于智慧手機等產(chǎn)品的半導體記憶體。將向去年收購的原爾必達記憶體位于日本廣島的工廠(chǎng)投資1千億日元，力爭2015財年(截 至15年8月)內將產(chǎn)能提高20%。今年美光科技在該工廠(chǎng)時(shí)隔3年重啟大規模投資，計劃通過(guò)積極投資來(lái)追趕在相關(guān)領(lǐng)域位居全球首位的韓國三星電子。

　　美光科技將在廣島增產(chǎn)使用最尖端微細加工技術(shù)(線(xiàn)寬為20奈米)的DRAM。和上一代25奈米線(xiàn)寬相比，從1枚晶圓上可以獲得的半導體晶片數量將增加約 20%，生產(chǎn)效率將大幅提高。美光科技還將在旗下的臺灣工廠(chǎng)實(shí)施增產(chǎn)投資，爭取將美光整體的DRAM供給能力提高20%。

　　美光本財年計劃在全球實(shí)施38億美元的設備投資，將把一半左右用于DRAM。該公司的首席執行官(CEO)馬克·杜爾坎(Mark Durcan)在接受日本經(jīng)濟新聞(中文版：日經(jīng)中文網(wǎng))采訪(fǎng)時(shí)表示“移動(dòng)終端和伺服器等產(chǎn)品的DRAM需求旺盛，今后也將根據市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，積極實(shí)施投 資”。

　　關(guān)于長(cháng)期保存數據的NAND型記憶卡，杜爾坎表示將在2015年推出使用最尖端三維技術(shù)的產(chǎn)品。三星占據領(lǐng)先優(yōu)勢的產(chǎn)品方面，計劃在原爾必達的秋田工廠(chǎng)完成部分生產(chǎn)工序。