中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶(hù)推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。

　　中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合資的IMFT這四大豪門(mén)中，剩下的則由臺系半導體廠(chǎng)商等瓜分，擠進(jìn)NAND市場(chǎng)可不容易。

　　中芯國際以往發(fā)展過(guò)130nm到65nm制程的NOR閃存，不過(guò)NOR閃存現在屬于過(guò)時(shí)的產(chǎn)品了，轉向NAND閃存也是自然而然的事了。中芯國際推出的 NAND閃存制程為38nm，與目前主流的20/19nm差了一代，而且東芝、美光新一代的16/15nm制程年底就會(huì )量產(chǎn)，所以中芯國際與國際大廠(chǎng)還有一定的差距。

　　據官網(wǎng)所說(shuō)，這種NAND制程完全是中芯國際自主研發(fā)的，38nm工藝對于降低NAND成本、提高產(chǎn)量來(lái)顯然不如更先進(jìn)的25、20nm，不過(guò)制程低了也有好處，那就是NAND的可靠性更好，P/E擦寫(xiě)次數更高，只不過(guò)現在還不清楚中芯國際的38nm NAND的細節。

　　對中芯國際來(lái)說(shuō)，38nm NAND其實(shí)也是個(gè)過(guò)渡，官方新聞中也提到了這是他們升級到更先進(jìn)的2x/1xnm及3D閃存的基礎，由此看來(lái)新工藝其實(shí)也是在研發(fā)中了。