獲高通及聯(lián)發(fā)科訂單 聯(lián)電28nm向前沖

　　晶圓代工二哥聯(lián)電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破，順利拿下高通及聯(lián)發(fā)科訂單，將成下半年成長(cháng)主要動(dòng)能。

　　為了拉近與龍頭臺積電間的差距，聯(lián)電14納米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開(kāi)始試產(chǎn)，10納米世代將加入由IBM主導的通用平臺(CommonPlatform)聯(lián)盟，與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開(kāi)發(fā)。

　　聯(lián)電昨(11)日召開(kāi)股東常會(huì )，通過(guò)配發(fā)0.5元現金股利及私募案，董事長(cháng)洪嘉聰除了強調私募案絕對不會(huì )折價(jià)發(fā)行的立場(chǎng)，也表示28納米多晶矽氮氧化矽(PolySiON)及HKMG制程良率顯著(zhù)提升，且在14納米以下制程開(kāi)發(fā)上，聯(lián)電延續2012年與IBM簽訂的授權協(xié)議，在10納米世代加入IBM技術(shù)開(kāi)發(fā)聯(lián)盟。

　　聯(lián)電5月?tīng)I收達119.3億元改寫(xiě)歷史新高，財務(wù)長(cháng)劉啟東表示，第2季產(chǎn)能利用率逼近9成，8寸廠(chǎng)產(chǎn)能全線(xiàn)滿(mǎn)載，其中LCD驅動(dòng)IC產(chǎn)能更是供不應求。聯(lián)電臺灣地區8寸廠(chǎng)擴產(chǎn)空間有限，蘇州和艦則將在本季將月產(chǎn)能由4.4萬(wàn)片提升到4.8～5萬(wàn)片，也不排除透過(guò)并購方式擴產(chǎn)，至于第3季營(yíng)運表現看來(lái)將會(huì )比第2季更好。

　　法人預估，聯(lián)電第2季營(yíng)收季增率將介于12～14%間，毛利率25%目標也會(huì )達陣，以此推估，聯(lián)電第2季獲利將有機會(huì )上看37～40億元，較第1季成長(cháng)超過(guò)2倍，每股凈利將賺逾0.3元。

　　聯(lián)電今年第2季移動(dòng)裝置芯片接單強勁，40納米接單全滿(mǎn)，28納米HKMG制程因良率上有明顯突破，也傳出獲得高通、聯(lián)發(fā)科等手機芯片代工訂單。而聯(lián)電不評論接單情況，但劉啟東表示，28納米第2季營(yíng)收占比將達1%，第4季會(huì )達5%，HKMG制程接單將成主流。

　　臺積電今年全力沖刺20納米產(chǎn)能，明年則轉進(jìn)16納米FinFET制程世代。聯(lián)電因為28納米明顯落后，所以決定跳過(guò)20納米，直接轉進(jìn)與IBM合作的14納米FinFET制程，預估明年上半年開(kāi)始試產(chǎn)。同時(shí)，聯(lián)電南科12寸廠(chǎng)Fab12A的第5期將在明年下半年開(kāi)出產(chǎn)能。

　　聯(lián)電也決定在10納米世代加入IBM主導的通用平臺，將與IBM、三星，以及格羅方德共同研發(fā)10納米技術(shù)，以縮減與臺積電間的技術(shù)差距。