納米級電路板可獲得245THz超高運算速度
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編者按：當硅材料即將接近物理極限時(shí)，尋找更理想的材料或許是集成電路的出路。
新加坡國立大學(xué)(NUS)的研究者們設計并制造了一款電路板,而它可以達到高達245THz的速度.這一速度要比現代微處理器的速度要快了上萬(wàn)倍.該研究成果將推動(dòng)新電路的設計.
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/245911.htm
當光與某些金屬產(chǎn)生聯(lián)系時(shí),它能產(chǎn)生眾多震動(dòng)頻率極快的電子,即離子.我們可以利用這一現象來(lái)建造超快計算機等設備.然而該現象發(fā)生在極為微小的層面以至于我們無(wú)法使用儀器來(lái)研究,更別說(shuō)利用這一現象了.
而NUS大學(xué)的研究人員卻發(fā)現了一種利用該現象的方法.該研究團隊構造了一個(gè)分子級別的電路板,其中包含2個(gè)離子生成器(將光子轉為例子的裝置).兩個(gè)離子生產(chǎn)器間是一層分子,厚度僅為0.5納米.
通過(guò)使用電子顯微鏡觀(guān)測,科學(xué)家們發(fā)現這一層分子可以使離子來(lái)回運動(dòng),可以使該系統產(chǎn)生至高為24THz的頻率.而通過(guò)改變分子層材料,科學(xué)家們也可以控制系統的頻率.
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