英飛凌推出針對體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管

　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD，進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過(guò)沖電壓和更低的反向恢復損耗，有助于實(shí)現最可靠的系統，特別是在硬開(kāi)關(guān)應用中，如通訊系統、工業(yè)電源、D類(lèi)音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統)和直流/交流逆變器等。

　　提高可靠性，同時(shí)節省成本

　　OptiMOS FD家族具備針對最高性能標準而優(yōu)化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標準的200V和250V OptiMOS，200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%。這意味著(zhù)通過(guò)降低過(guò)沖電壓大幅提升了系統可靠性，從而最大限度地減少了對緩沖電路的需求。

　　英飛凌科技系統業(yè)務(wù)部門(mén)直流/直流業(yè)務(wù)高級主管Richard Kuncic表示：“英飛凌再一次突破了200V和250V電壓級產(chǎn)品的極限。設立新的基準是我們不懈奮進(jìn)的動(dòng)力。OptiMOS FD家族秉承了我們充分利用開(kāi)關(guān)性能的成功之道。這個(gè)最新一代功率MOSFET能為我們的客戶(hù)節省工程設計費用，減輕設計工作量，特別是在硬開(kāi)關(guān)應用中。”

　　既簡(jiǎn)單又高效

　　相比當前市場(chǎng)上現有的200V和250V產(chǎn)品，全新OptiMOS FD改善了硬換向耐用性，從而可以在更為苛刻的條件下使用，如更高dv/dt、di/dt和電流密度。這樣一來(lái)，其使用非常簡(jiǎn)便，簡(jiǎn)化了設計流程。

　　此外，相比于可替代的器件，OptiMOS FD的導通電阻(RDS(on))最多可降低45%，FOM(Qg x Rdson)最多可降低65%，從而可以實(shí)現最高的效率和功率密度。

　　產(chǎn)品組合和供貨情況

　　OptiMOS FD 200V產(chǎn)品包括RDS(on)為11.7m?的D2PAK和RDS(on)為12m?的TO-220。OptiMOS FD 250V產(chǎn)品包括RDS(on)為22 m?的TO-220。

　　兩個(gè)電壓等級和各種封裝的樣品均可提供。