利用EPLD實(shí)現TMS320C5402與SDRAM接口
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摘要：介紹了基于電可擦除可編程邏輯器件（EPLD），用VHDL語(yǔ)言設計實(shí)現的TMS320C5402與SDRAM的接口電路。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/226430.htm關(guān)鍵詞：電可擦除可編程邏輯器件 數字信號處理器 同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器 接口電路 VHDL
在多媒體應用中，多媒體信息絕大部分是視頻數據和音頻數據，而數字化的視頻數據和音頻數據的數據量是非常龐大的。為了能夠及時(shí)完整地處理前端采集的數據，一般系統都采用高速DSP和大容量緩沖存儲器，且緩沖存儲器一般選用同步動(dòng)態(tài)隨機存儲器（SDRAM）。由于DSP不能直接與SDRAM接口，耐用SDRAM控制時(shí)序比較復雜，因此本文介紹如何利用電可擦除可編程邏輯器件實(shí)現TMS320C5402與SDRAM的接口。
1 SDRAM結構和命令
SDRAM是一種具有同步接口聽(tīng)高速動(dòng)態(tài)隨機存儲器，本文選用的是Samsung公司512K×16Bit×2組的KM416S1120D。SDRAM的同步接口和內部流水線(xiàn)結構允許存儲外部高速數據，其內部結構框圖如圖1所示。
SDRAM的所有輸入和輸出都與系統時(shí)鐘CLK上升沿同步，并且由輸入信號RAS、CAS、WE組合產(chǎn)生SDRAM控制命令，其基本的控制命令如表1所示。
在具體操作SDRAM時(shí)，首先必須通過(guò)MRS命令設置模式寄存器，以便確定SDRAM的列地址延遲、突發(fā)類(lèi)型、突發(fā)長(cháng)度等工作模式；再通過(guò)ACT命令激活對應地址的組，同時(shí)輸入行地址；然后通過(guò)RD或WR命令輸入列地址，將相應數據讀出或寫(xiě)入對應的地址；操作完成后用PCH命令或BT命令中止讀或寫(xiě)操作。在沒(méi)有操作的時(shí)候，每32ms必須用ARF命令刷新數據（2048行），防止數據丟失。
2 FLEX10K系列EPLD特點(diǎn)
（1）片上集成了實(shí)現宏函數的嵌入式陣列和實(shí)現普通函數的邏輯陣列；
（2）具有10000～250000個(gè)可用門(mén)；
（3）支持多電壓I/O接口，遵守PCI總線(xiàn)規定，內帶JTAG邊界掃描測試電路；
（4）可快速預測連線(xiàn)延時(shí)的快速通道連續式布線(xiàn)結構；
（5）多達6個(gè)全局時(shí)鐘信號和4個(gè)全局清除信號；
（6）增強功能的I/O引腳，每個(gè)引腳都有一個(gè)獨立的三態(tài)輸出使能控制，都有漏極開(kāi)路選擇。
3 TMS320C5402和SDRAM接口設計
TMS320C5402和SDRAM接口電路方框圖如圖2所示。命令接口主要對DSP送來(lái)的SDRAM的地址和操作命令進(jìn)行解碼（命令編碼見(jiàn)表1）；刷新控制主要對SDRAM數據刷新進(jìn)行計時(shí)，確保32ms刷新2048行數據；仲裁電路主要對讀寫(xiě)命令和刷新命令進(jìn)行仲裁，杜組同時(shí)操作，防止數據丟失；命令產(chǎn)生器主要用來(lái)產(chǎn)生控制SDRAM的各種時(shí)序，完成SDRAM的讀、寫(xiě)和刷新，同時(shí)控制FIFO的讀、寫(xiě)操作；FIFO是DSP與SDRAM之間的數據通道，深度為256，其作用是充分利用SDRAM的突發(fā)讀寫(xiě)功能，提高系統速度，同時(shí)簡(jiǎn)化DSP軟件設計。
表1 SDRAM命令編碼表
| 命 令 | RAS | CAS | WE | 編 碼 |
| 空操作（NOP） | H L H H H L L L | H H L L H H L L | H H H L L L H L | 000 001 010 011 100 101 110 111 |
3.1 命令接口和刷新控制電路設計
命令接口電路主要由命令寄存器、命令譯碼器器、SDRAM行列地址鎖存器、模式寄存器組成。其中命令寄存器映射為DSP的I/O空間0001H，SDRAM行和列地址鎖存器分別映射為DSP的I/O空間0002H和0003H，模式寄存器映射為DSP的I/O空間0004H，具體控制命令和I/O地址分配如表2、表3所示。DSP每次進(jìn)行讀、寫(xiě)操作時(shí)，首先向其I/O空間0002H和0003H寫(xiě)入SDRAM行和列地址，然后向I/O空間000H寫(xiě)入控制命令，命令譯碼器根據命令寄存器中命令，譯碼后向仲裁電路發(fā)出讀寫(xiě)請求。
表2 DSP I/O空間映射地址分配表
| I/O地址 | 功 能 |
| 0000H 0001H 0002H 0003H 0004H | FIFO地址 命令寄存器 SDRAM行地址寄存器 SDRAM列地址寄存器 SDRAM模式寄存器 |
表3 SDRAM模式寄存器控制位
| 0004H位 | 功 能 |
| [1:0] [2:3] [7:4] [8] [12:9] | 列延盡設置位 行到列延盡位 刷新延遲設置位 控制模式位，0為普通而1為整頁(yè) 突發(fā)長(cháng)度，有效值為1、2、4、8 |
刷新控制電路主要由1562計數器構成。由于TMS320C5402時(shí)鐘頻率為100MHz，SDRAM要求在32ms之內刷新2048行數據，因此該計數器計數值應小于：32ms/2048/0.01μs=1562.5。當計數器計滿(mǎn)1562次時(shí)，刷新控制電路向仲裁電路發(fā)出刷新要求。
3.2 仲裁電路和命令產(chǎn)生器設計
仲裁電路接收命令接口模塊解碼的命令和刷新控制模塊的刷新請求的優(yōu)先級較高。當來(lái)自DSP的命令和來(lái)自刷新控制模塊的刷新請求命令和來(lái)自刷新控制模塊的刷新請求同時(shí)到達時(shí)，則首先執行刷新操作，然后執行來(lái)自DSP的命令。這樣可以防止SDRAM的數據選擇 失。由此可知，仲裁電路實(shí)質(zhì)上是國個(gè)優(yōu)先級選擇器。
命令產(chǎn)生器主要產(chǎn)生SDRAM讀、寫(xiě)和刷新的控制時(shí)序（具體時(shí)序可見(jiàn)參考文獻1）以及FIFO的讀寫(xiě)控制信號，用以對SDRAM進(jìn)行各種操作，其實(shí)質(zhì)上是國個(gè)Mealy型狀態(tài)機，利用VHDL語(yǔ)言可以很方便地實(shí)現，其狀態(tài)轉移圖如圖3所示。
3.3 FIFO設計
FIFO電路是DSP與SDRAM進(jìn)行數據交換的通道，通過(guò)FIFO電路可以很好地實(shí)現DSP對SDRAM的讀寫(xiě)。FIFO電路被映射為DSP的I/O空間0000H（見(jiàn)表2），DPS對SDRAM的每次讀或寫(xiě)，都對DSP的I/O空間0000H操作，簡(jiǎn)化了DSP軟件設計。利用FLEX10K系列EPLD內部嵌入式陣列塊（ESB）和參數化模塊（LPM），可以很快地構造出256×16的FIFO電路，FIFO的設計比較簡(jiǎn)單。VHDL描述具體如下（注意在程序開(kāi)始處添加LPM庫）：
FIFO256：CSFIFO
GENERIC MAP（LPM_WIDTH =16；LPM_NUMWORDS 256）；
PORT MAP（data =(LPM_WIDTH-1 DOWNTO 0);
wreq =wr;rreq =rd;
clock =clk50;clockx2 =clk100;
clr =clr;sclr = sclr;
empty =empty;full =full;
q=q(LPM_WIDTH-1 DOWNTO 0));
由于EPLD通用、高速及價(jià)廉的特點(diǎn)，因此具有很好的實(shí)際應用前景，尤其適用于需要大容量高速緩沖存儲器的多媒體應用。
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