LED芯片知識-MB、GB、TS、AS芯片定義與特點(diǎn)

一、MB芯片定義與特點(diǎn)
定義﹕MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著(zhù)）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品。
特點(diǎn)﹕
1: 采用高散熱系數的材料---Si作為襯底、散熱容易。
2﹕通過(guò)金屬層來(lái)接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。
3:導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數相差3~4 倍)，更適應于高驅動(dòng)電流領(lǐng)域。
4:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
5:尺寸可加大、應用于High power 領(lǐng)域、eg : 42mil MB

二、GB芯片定義和特點(diǎn)
定義﹕GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著(zhù)結合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專(zhuān)利產(chǎn)品
特點(diǎn)﹕
1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類(lèi)似TS芯片的GaP襯底。
2﹕芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern
3﹕亮度方面、其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水準(8.6mil)
4﹕雙電極結構、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片

三、TS芯片定義和特點(diǎn)
定義﹕TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專(zhuān)利產(chǎn)品。
特點(diǎn)﹕
1.芯片工藝制作復雜、遠高于AS led
2. 信賴(lài)性卓越
3.透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
4.應用廣泛

四、AS芯片定義和特點(diǎn)
定義﹕AS 芯片﹕Absorbable structure(吸收襯底）芯片﹔經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力、臺灣LED光電業(yè)界對于該類(lèi)型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷(xiāo)售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準、差距不大.
大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點(diǎn)﹕
1. 四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對于常規芯片要亮
2. 信賴(lài)性?xún)?yōu)良
3. 應用廣泛