飛兆全新中壓MOSFET采用空間節省型封裝可優(yōu)化電能應用

　　2014年2月13日，許多終端應用 – 比如IP電話(huà)、電機控制電路、有源鉗位開(kāi)關(guān)和負載開(kāi)關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿(mǎn)足制造商的要求。飛兆半導體開(kāi)發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench^® MOSFET，在尺寸減小的同時(shí)可實(shí)現卓越的開(kāi)關(guān)速度和功耗性能。

　　該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道MOSFET。與競爭對手的器件相比，這類(lèi)P溝道MOSFET具有更好的開(kāi)關(guān)性能品質(zhì)因數(FOM)，比競爭對手提供的最佳器件還要高出67%。此外，其導通損耗減小了46%，開(kāi)關(guān)損耗減小了38%。因此，設計人員能夠縮小尺寸并提高系統整體性能。

　　相比競爭對手提供的5 mm x 6 mm封裝解決方案，該系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封裝，可節省電路板空間。此外，FDMC86xxxP系列可滿(mǎn)足客戶(hù)對于耗散更少功率實(shí)現更高能效的更低 熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導通電阻RDS(ON)。

　　飛兆半導體低壓產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監Mike Speed表示：“眾所周知，傳統產(chǎn)品因功耗高而效率低下，不適用于如今的電源和電機控制電路?？蛻?hù)如果轉而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其應用中就能使功耗降低多達50%，從而提升系統整體性能，并降低其終端產(chǎn)品中的能耗，有助于節省全球資源。”

　　主要功能：

　　· 極低RDS(ON)中壓P溝道硅技術(shù)，優(yōu)化得到較低的Qg
　　· 非常適合快速開(kāi)關(guān)應用以及負載開(kāi)關(guān)應用
　　· 100%經(jīng)過(guò)UIL^®測試
　　· 符合 RoHS 標準

　　空間受限型應用以及我們的客戶(hù)和其所服務(wù)的市場(chǎng)要求DC-DC電源的尺寸更小、電流更高，基于對這一需求的理解，飛兆半導體量身定制結合了功能、工藝和創(chuàng )新封裝技術(shù)的節能型解決方案，從而能使您的電子設計與眾不同。