飛兆半導體推出具有高可靠性和卓越開(kāi)關(guān)性能IGBT

　　該款全新產(chǎn)品系列針對軟開(kāi)關(guān)應用，在1000V至1400V的電壓范圍內，利用固有的反并聯(lián)二極管進(jìn)行了優(yōu)化。 隨著(zhù)超越典型非穿通型（NPT） IGBT技術(shù)的不斷進(jìn)步，飛兆半導體的陽(yáng)極短路硅技術(shù)可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果與競爭對手的IGBT產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性，飛兆半導體先進(jìn)的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。

　　特點(diǎn)與優(yōu)勢：

　　高速開(kāi)關(guān)頻率范圍： 10至50 kHz

　　業(yè)界最低的拖尾電流，可改進(jìn)開(kāi)關(guān)損耗（FGA20S140P）

　　與現有的NPT trench IGBT相比，飽和壓降更低

　　電位計檢測抗噪能力強健，可提高可靠性

　　高溫穩定特性： Tj（max） = 175 oC

　　符合RoHS標準（無(wú)鉛引腳電鍍）

　　封裝和報價(jià)信息（1，000片起訂，價(jià)格單位：美元）

　　按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內

　　采用TO-3P 3L封裝：

　　1250V FGA20S125P $2.03

　　1250V FGA25S125P $2.03

　　1300V FGA30S120P $5.25

　　1400V FGA20S140P $2.25

　　采用TO-247 3L封裝：

　　1300V FGH30S130P $3.40

　　飛兆半導體的場(chǎng)截止陽(yáng)極短路trench IGBT提供業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù)，以應對在當今設計中遇到的能效和形狀因數挑戰。 這些應用都是飛兆半導體節能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實(shí)現最大限度的節能。